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請問金屬基底旋涂光刻膠進行前烘的參數(shù)如何設(shè)置 已有3人參與
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導(dǎo)師給小弟安排了個任務(wù)是在一個金屬基底上濺射一層薄膜,這個金屬基底也不是正;且粋異形基底具有懸空結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)在基本工藝摸得差不多了,使用光刻濺射再lift-off的方法來做,但是最近小弟遇到一個問題需要各位大佬幫助。 目前是發(fā)現(xiàn)采用標準的前烘工藝來做(使用的光刻膠為az-4620,旋涂的厚度為10um左右。使用烘箱50度保溫半小時,90度保溫2小時—這個是廠家給我們的參考工藝),光刻膠烘得太透了,曝光之后肉眼看沒啥效果,顯影的時間也遠超別人標準基片的工藝,而且顯影效果不好,導(dǎo)致小弟現(xiàn)在做了幾個月東西還沒做出來。 現(xiàn)在的推測就是光刻膠前烘沒做好,懷疑是金屬導(dǎo)熱太快導(dǎo)致光刻膠的烘干比標準的硅片和玻璃片要快很多。 但是現(xiàn)在摸索烘膠溫度很耗時,我這個基片由于懸空所以不好用熱板,目前都是用的烘箱,按照標準的來做一次前烘耗時很長。所以請問大神們有沒有做過8~10微米的光刻膠在金屬基底上的烘膠工藝,小弟好找個參考值,烘箱和熱板都可以。 |
金蟲 (著名寫手)
新蟲 (文壇精英)
專家顧問 (著名寫手)
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專家經(jīng)驗: +651 |
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只討論光刻的話,直接減90°c那個時間,減到1小時。你的顯影效果不好,說的應(yīng)該時黑邊嚴重,光刻膠的形貌很差,不能順利剝離。這就不是光刻的問題了,因為4620本來就這個德行。賣你光刻膠的也啥都不懂,瞎指導(dǎo)。 你這個金屬鏤空結(jié)構(gòu),用烘箱確實比較麻煩,如果由頂部加熱的熱板,那是最好了,不過這個熱板要定制,你去買不劃算。你這個剝離工藝,盡可能的用負膠做,比如7133,專門做剝離的負膠,厚度5um,足夠了。唯一的麻煩是負膠需要后烘,溫度控制不好的話,底切做的差,剝離會難點兒,但比4620強百倍。 現(xiàn)在的光刻膠,一般都沒有烘箱使用的溫度參考,要靠自己摸,不過像對于7133這樣工藝寬容度比較大的,還是比較容易的,先拿硅片試試,再用你的正片做就很容易了。 |
鐵蟲 (初入文壇)
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新蟲 (初入文壇)
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