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請問金屬基底旋涂光刻膠進(jìn)行前烘的參數(shù)如何設(shè)置 已有3人參與
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導(dǎo)師給小弟安排了個任務(wù)是在一個金屬基底上濺射一層薄膜，這個金屬基底也不是正�；且粋�異形基底具有懸空結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)在基本工藝摸得差不多了，使用光刻濺射再lift-off的方法來做，但是最近小弟遇到一個問題需要各位大佬幫助。 目前是發(fā)現(xiàn)采用標(biāo)準(zhǔn)的前烘工藝來做（使用的光刻膠為az-4620，旋涂的厚度為10um左右。使用烘箱50度保溫半小時，90度保溫2小時—這個是廠家給我們的參考工藝），光刻膠烘得太透了，曝光之后肉眼看沒啥效果，顯影的時間也遠(yuǎn)超別人標(biāo)準(zhǔn)基片的工藝，而且顯影效果不好，導(dǎo)致小弟現(xiàn)在做了幾個月東西還沒做出來。 現(xiàn)在的推測就是光刻膠前烘沒做好，懷疑是金屬導(dǎo)熱太快導(dǎo)致光刻膠的烘干比標(biāo)準(zhǔn)的硅片和玻璃片要快很多。 但是現(xiàn)在摸索烘膠溫度很耗時，我這個基片由于懸空所以不好用熱板，目前都是用的烘箱，按照標(biāo)準(zhǔn)的來做一次前烘耗時很長。所以請問大神們有沒有做過8~10微米的光刻膠在金屬基底上的烘膠工藝，小弟好找個參考值，烘箱和熱板都可以。 |
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7樓2020-03-06 12:31:47
babyoflion
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2樓2020-01-02 19:24:17
3樓2020-01-02 20:17:29
danghaha
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4樓2020-01-02 21:24:18
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