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請問金屬基底旋涂光刻膠進行前烘的參數如何設置 已有3人參與
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導師給小弟安排了個任務是在一個金屬基底上濺射一層薄膜,這個金屬基底也不是正;且粋異形基底具有懸空結構。 現(xiàn)在基本工藝摸得差不多了,使用光刻濺射再lift-off的方法來做,但是最近小弟遇到一個問題需要各位大佬幫助。 目前是發(fā)現(xiàn)采用標準的前烘工藝來做(使用的光刻膠為az-4620,旋涂的厚度為10um左右。使用烘箱50度保溫半小時,90度保溫2小時—這個是廠家給我們的參考工藝),光刻膠烘得太透了,曝光之后肉眼看沒啥效果,顯影的時間也遠超別人標準基片的工藝,而且顯影效果不好,導致小弟現(xiàn)在做了幾個月東西還沒做出來。 現(xiàn)在的推測就是光刻膠前烘沒做好,懷疑是金屬導熱太快導致光刻膠的烘干比標準的硅片和玻璃片要快很多。 但是現(xiàn)在摸索烘膠溫度很耗時,我這個基片由于懸空所以不好用熱板,目前都是用的烘箱,按照標準的來做一次前烘耗時很長。所以請問大神們有沒有做過8~10微米的光刻膠在金屬基底上的烘膠工藝,小弟好找個參考值,烘箱和熱板都可以。 |
鐵蟲 (初入文壇)
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