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青澀的小學弟新蟲 (初入文壇)
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[求助]
關于dmol3計算表面吸附分子電荷轉(zhuǎn)移的問題請教
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請問高手,在用dmol3模擬小分子表面吸附的過程時,電荷轉(zhuǎn)移具體是怎么得到的? 我重復了MoS2吸附氣體小分子的論文,用論文里的方法計算的結(jié)構和吸附能都符合,只有電荷轉(zhuǎn)移與論文中的結(jié)果不符。論文也是用的Hirshfeld計算的。 我在計算時,是勾選了population analysis——Hirshfeld analysis—— charge ——run 然后在outmol中直接將Hirshfeld 下面charge 的讀數(shù)與文獻中作對比,每次都符合不上。想請問一下 ,實際是的電荷轉(zhuǎn)移是怎么得到的,是有什么式子嗎?? 就比如我只算一個小分子的電荷轉(zhuǎn)移,都與文獻的結(jié)果差很多,下面是我算用GGA-PBE算的一個H2S在格子里的電荷轉(zhuǎn)移,直接找到outmol中的Hirshfeld分析 Charge partitioning by Hirshfeld method: ( 0.0005 -0.0000) H 1 charge spin 0.0495 -0.0000 H 2 charge spin 0.0495 0.0000 S 3 charge spin -0.0985 0.0000 請問,我能直接說S原子帶-0.0985的負電荷嗎? 基礎比較薄弱,這個問題困擾好幾天了,請高手指教 |
MS計算模擬 |
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