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青澀的小學(xué)弟新蟲(chóng) (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于dmol3計(jì)算表面吸附分子電荷轉(zhuǎn)移的問(wèn)題請(qǐng)教
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請(qǐng)問(wèn)高手，在用dmol3模擬小分子表面吸附的過(guò)程時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移具體是怎么得到的？ 我重復(fù)了MoS2吸附氣體小分子的論文，用論文里的方法計(jì)算的結(jié)構(gòu)和吸附能都符合，只有電荷轉(zhuǎn)移與論文中的結(jié)果不符。論文也是用的Hirshfeld計(jì)算的。 我在計(jì)算時(shí)，是勾選了population analysis——Hirshfeld analysis—— charge ——run 然后在outmol中直接將Hirshfeld 下面charge 的讀數(shù)與文獻(xiàn)中作對(duì)比，每次都符合不上。想請(qǐng)問(wèn)一下 ，實(shí)際是的電荷轉(zhuǎn)移是怎么得到的，是有什么式子嗎？？ 就比如我只算一個(gè)小分子的電荷轉(zhuǎn)移，都與文獻(xiàn)的結(jié)果差很多，下面是我算用GGA-PBE算的一個(gè)H2S在格子里的電荷轉(zhuǎn)移，直接找到outmol中的Hirshfeld分析 Charge partitioning by Hirshfeld method: ( 0.0005 -0.0000) H 1 charge spin 0.0495 -0.0000 H 2 charge spin 0.0495 0.0000 S 3 charge spin -0.0985 0.0000 請(qǐng)問(wèn)，我能直接說(shuō)S原子帶-0.0985的負(fù)電荷嗎？ 基礎(chǔ)比較薄弱，這個(gè)問(wèn)題困擾好幾天了，請(qǐng)高手指教 |
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 MS計(jì)算模擬 |
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送紅花一朵 
9樓2019-09-09 16:30:06
青澀的小學(xué)弟
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3樓2019-09-06 18:48:11
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1、分子不用放到格子里面。 2、MS版本不同結(jié)果可能會(huì)有些許差異，對(duì)于Hirshfeld應(yīng)該不會(huì)很敏感。 |
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4樓2019-09-07 04:59:14
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5樓2019-09-07 11:16:14
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