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青澀的小學(xué)弟新蟲(chóng) (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于dmol3計(jì)算表面吸附分子電荷轉(zhuǎn)移的問(wèn)題請(qǐng)教
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請(qǐng)問(wèn)高手,在用dmol3模擬小分子表面吸附的過(guò)程時(shí),電荷轉(zhuǎn)移具體是怎么得到的? 我重復(fù)了MoS2吸附氣體小分子的論文,用論文里的方法計(jì)算的結(jié)構(gòu)和吸附能都符合,只有電荷轉(zhuǎn)移與論文中的結(jié)果不符。論文也是用的Hirshfeld計(jì)算的。 我在計(jì)算時(shí),是勾選了population analysis——Hirshfeld analysis—— charge ——run 然后在outmol中直接將Hirshfeld 下面charge 的讀數(shù)與文獻(xiàn)中作對(duì)比,每次都符合不上。想請(qǐng)問(wèn)一下 ,實(shí)際是的電荷轉(zhuǎn)移是怎么得到的,是有什么式子嗎?? 就比如我只算一個(gè)小分子的電荷轉(zhuǎn)移,都與文獻(xiàn)的結(jié)果差很多,下面是我算用GGA-PBE算的一個(gè)H2S在格子里的電荷轉(zhuǎn)移,直接找到outmol中的Hirshfeld分析 Charge partitioning by Hirshfeld method: ( 0.0005 -0.0000) H 1 charge spin 0.0495 -0.0000 H 2 charge spin 0.0495 0.0000 S 3 charge spin -0.0985 0.0000 請(qǐng)問(wèn),我能直接說(shuō)S原子帶-0.0985的負(fù)電荷嗎? 基礎(chǔ)比較薄弱,這個(gè)問(wèn)題困擾好幾天了,請(qǐng)高手指教 |
MS計(jì)算模擬 |
專家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
Ab Initio Amateur
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專家經(jīng)驗(yàn): +224 |
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1、分子不用放到格子里面。 2、MS版本不同結(jié)果可能會(huì)有些許差異,對(duì)于Hirshfeld應(yīng)該不會(huì)很敏感。 |

新蟲(chóng) (初入文壇)
新蟲(chóng) (初入文壇)
專家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
Ab Initio Amateur
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專家經(jīng)驗(yàn): +224 |
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那個(gè)是分子帶的凈電荷量(也就是分子各個(gè)原子布居分析得到的電子數(shù)目減去原子核電荷數(shù)),然后需要對(duì)相互作用前后的這個(gè)量進(jìn)行做差得到的才是電荷轉(zhuǎn)移的量。 不過(guò)既然是布居分析,那么劃分的方法不同結(jié)果總是會(huì)有些差異,其實(shí)不妨看看電荷密度差的情況結(jié)合來(lái)說(shuō)明。 |

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