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西交利物浦大學/氮化鎵基 CMOS 技術的物理驅動與人工智能增強方法/招博士研究生
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博士研究生（全日制） 機構：西交利物浦大學（蘇州校區(qū)） 學院：智能工程學院 導師： 主導師：Kain Lu Low 副教授 合作導師：劉雯 高級副教授 合作導師：Ivona Mitrovic教授（利物浦大學） 申請截止日期：招滿即止 資金支持情況：有資金支持的博士項目（面向全球學生） 項目名稱：推進氮化鎵基 CMOS 技術的物理驅動與人工智能增強方法 聯(lián)系方式：請發(fā)送郵件至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大學主導師的郵箱地址），郵件主題請注明博士項目名稱。 主導師個人簡介鏈接如下： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/KainLuLow 申請要求： 申請博士學位需獲得優(yōu)異的碩士學位，以及一等或二等一榮譽學士學位。在某些學科領域，僅持有學士學位的優(yōu)秀申請人可個別考慮。 具備良好的英語口語和書面表達能力至關重要。如果第一語言不是英語，申請人的雅思（或同等水平）成績應達到 6.5 分及以上。本職位對所有符合條件的申請人開放，不限國籍。 學位： 學生在成功完成該項目后，將獲得英國利物浦大學授予的博士學位。 資金支持： 該博士研究生職位為期四年，前提是學生學習進展令人滿意。獎學金涵蓋三年的學費（目前相當于每年人民幣 99,000 元）。同時還提供最高達人民幣 16,500 元的資金，用于支持學生在獎學金期間參加國際會議。獎學金獲得者預計主要在中國蘇州的西交利物浦大學開展研究工作。不過，如果項目有需要，他們可以申請到利物浦大學進行短期研究訪問。 項目描述： 我們誠邀優(yōu)秀人才申請一個有資金支持的博士職位，該職位專注于設計和優(yōu)化下一代氮化鎵（GaN）CMOS 集成電路。氮化鎵器件憑借其卓越的速度和效率，正在革新電力電子和射頻系統(tǒng)，但由于 n 型和 p 型晶體管之間的性能差距，實現(xiàn)全氮化鎵基 CMOS 電路仍面臨挑戰(zhàn)。 本項目旨在通過開發(fā)一種新穎的人工智能輔助優(yōu)化框架來克服這一障礙，該框架能夠對材料屬性、器件架構和電路級性能進行協(xié)同優(yōu)化。通過將基于物理的工藝計算機輔助設計（TCAD）模擬與機器學習（ML）和多目標優(yōu)化無縫集成，本研究將探索完整的設計空間：從異質結構工程、p 型場效應晶體管（p-FET）/n 型場效應晶體管（n-FET）協(xié)同設計到 CMOS 電路功能。你將深入了解氮化鎵器件物理，同時推進跨多個層面創(chuàng)新的計算技術，最終實現(xiàn)高性能、全集成氮化鎵 CMOS 電路的開發(fā)。 關鍵領域包括： 1.對氮化鎵場效應晶體管（FET）結構（如柵極堆疊、異質結構等）進行建模和優(yōu)化 2.開發(fā)并驗證氮化鎵器件的 TCAD 模型 3.應用機器學習進行性能預測和設計優(yōu)化 4.探索遷移學習，將方法擴展到未來的寬帶隙半導體 為什么加入我們？ 1.在半導體物理、TCAD 以及人工智能 / 機器學習方面接受跨學科培訓 2.可使用高性能計算資源，并與實驗實驗室開展合作 3.有機會在頂級期刊上發(fā)表論文，并在國際會議上展示研究成果 4.有機會塑造節(jié)能電子產品的未來 理想候選人： 1.在電氣與電子工程、半導體器件方面有扎實的背景 2.具備 Python、MATLAB 編程經(jīng)驗，熟悉 TCAD 或機器學習 3.對人工智能用于器件建模有興趣或經(jīng)驗者優(yōu)先 4.對電子器件應用研究和創(chuàng)新充滿熱情 如需了解更多關于西交利物浦大學博士獎學金和博士項目的信息，請訪問： https://www.xjtlu.edu.cn/en/admissions/global/entry-requirements/ https://www.xjtlu.edu.cn/en/admi ... ees-and-scholarship 申請方式： 有意申請者請將以下文件發(fā)送至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大學主導師的郵箱地址），以便進行初步審核和評估（請在郵件主題中注明項目名稱）。 1.個人簡歷 2.兩封正式推薦信 3.闡述你對該職位興趣的個人陳述 4.英語語言資格證書（雅思或同等水平） 5. 中英文完整成績單（國際學生僅需提供英文版本） 6.中英文學歷驗證證書（國際學生僅需提供英文版本） 7. 碩士學位論文的 PDF 副本（或同等的寫作樣本）及已有的評審報告 |
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