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西交利物浦大學(xué)/氮化鎵基 CMOS 技術(shù)的物理驅(qū)動與人工智能增強(qiáng)方法/招博士研究生
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博士研究生（全日制） 機(jī)構(gòu)：西交利物浦大學(xué)（蘇州校區(qū)） 學(xué)院：智能工程學(xué)院 導(dǎo)師： 主導(dǎo)師：Kain Lu Low 副教授 合作導(dǎo)師：劉雯 高級副教授 合作導(dǎo)師：Ivona Mitrovic教授（利物浦大學(xué)） 申請截止日期：招滿即止 資金支持情況：有資金支持的博士項目（面向全球?qū)W生） 項目名稱：推進(jìn)氮化鎵基 CMOS 技術(shù)的物理驅(qū)動與人工智能增強(qiáng)方法 聯(lián)系方式：請發(fā)送郵件至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大學(xué)主導(dǎo)師的郵箱地址），郵件主題請注明博士項目名稱。 主導(dǎo)師個人簡介鏈接如下： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/KainLuLow 申請要求： 申請博士學(xué)位需獲得優(yōu)異的碩士學(xué)位，以及一等或二等一榮譽(yù)學(xué)士學(xué)位。在某些學(xué)科領(lǐng)域，僅持有學(xué)士學(xué)位的優(yōu)秀申請人可個別考慮。 具備良好的英語口語和書面表達(dá)能力至關(guān)重要。如果第一語言不是英語，申請人的雅思（或同等水平）成績應(yīng)達(dá)到 6.5 分及以上。本職位對所有符合條件的申請人開放，不限國籍。 學(xué)位： 學(xué)生在成功完成該項目后，將獲得英國利物浦大學(xué)授予的博士學(xué)位。 資金支持： 該博士研究生職位為期四年，前提是學(xué)生學(xué)習(xí)進(jìn)展令人滿意。獎學(xué)金涵蓋三年的學(xué)費(fèi)（目前相當(dāng)于每年人民幣 99,000 元）。同時還提供最高達(dá)人民幣 16,500 元的資金，用于支持學(xué)生在獎學(xué)金期間參加國際會議。獎學(xué)金獲得者預(yù)計主要在中國蘇州的西交利物浦大學(xué)開展研究工作。不過，如果項目有需要，他們可以申請到利物浦大學(xué)進(jìn)行短期研究訪問。 項目描述： 我們誠邀優(yōu)秀人才申請一個有資金支持的博士職位，該職位專注于設(shè)計和優(yōu)化下一代氮化鎵（GaN）CMOS 集成電路。氮化鎵器件憑借其卓越的速度和效率，正在革新電力電子和射頻系統(tǒng)，但由于 n 型和 p 型晶體管之間的性能差距，實(shí)現(xiàn)全氮化鎵基 CMOS 電路仍面臨挑戰(zhàn)。 本項目旨在通過開發(fā)一種新穎的人工智能輔助優(yōu)化框架來克服這一障礙，該框架能夠?qū)Σ牧蠈傩�、器件架�?gòu)和電路級性能進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化。通過將基于物理的工藝計算機(jī)輔助設(shè)計（TCAD）模擬與機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和多目標(biāo)優(yōu)化無縫集成，本研究將探索完整的設(shè)計空間：從異質(zhì)結(jié)構(gòu)工程、p 型場效應(yīng)晶體管（p-FET）/n 型場效應(yīng)晶體管（n-FET）協(xié)同設(shè)計到 CMOS 電路功能。你將深入了解氮化鎵器件物理，同時推進(jìn)跨多個層面創(chuàng)新的計算技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)高性能、全集成氮化鎵 CMOS 電路的開發(fā)。 關(guān)鍵領(lǐng)域包括： 1.對氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)構(gòu)（如柵極堆疊、異質(zhì)結(jié)構(gòu)等）進(jìn)行建模和優(yōu)化 2.開發(fā)并驗(yàn)證氮化鎵器件的 TCAD 模型 3.應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行性能預(yù)測和設(shè)計優(yōu)化 4.探索遷移學(xué)習(xí)，將方法擴(kuò)展到未來的寬帶隙半導(dǎo)體 為什么加入我們？ 1.在半導(dǎo)體物理、TCAD 以及人工智能 / 機(jī)器學(xué)習(xí)方面接受跨學(xué)科培訓(xùn) 2.可使用高性能計算資源，并與實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室開展合作 3.有機(jī)會在頂級期刊上發(fā)表論文，并在國際會議上展示研究成果 4.有機(jī)會塑造節(jié)能電子產(chǎn)品的未來 理想候選人： 1.在電氣與電子工程、半導(dǎo)體器件方面有扎實(shí)的背景 2.具備 Python、MATLAB 編程經(jīng)驗(yàn)，熟悉 TCAD 或機(jī)器學(xué)習(xí) 3.對人工智能用于器件建模有興趣或經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先 4.對電子器件應(yīng)用研究和創(chuàng)新充滿熱情 如需了解更多關(guān)于西交利物浦大學(xué)博士獎學(xué)金和博士項目的信息，請訪問： https://www.xjtlu.edu.cn/en/admissions/global/entry-requirements/ https://www.xjtlu.edu.cn/en/admi ... ees-and-scholarship 申請方式： 有意申請者請將以下文件發(fā)送至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大學(xué)主導(dǎo)師的郵箱地址），以便進(jìn)行初步審核和評估（請在郵件主題中注明項目名稱）。 1.個人簡歷 2.兩封正式推薦信 3.闡述你對該職位興趣的個人陳述 4.英語語言資格證書（雅思或同等水平） 5. 中英文完整成績單（國際學(xué)生僅需提供英文版本） 6.中英文學(xué)歷驗(yàn)證證書（國際學(xué)生僅需提供英文版本） 7. 碩士學(xué)位論文的 PDF 副本（或同等的寫作樣本）及已有的評審報告 |
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4樓2025-07-30 09:52:16
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tzynew3樓
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2025-07-30 10:31
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JLight(金幣+1): 謝謝參與
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2025-07-30 12:21
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