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石墨烯基憶阻器推動著計算領(lǐng)域向下一代邁進
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來自倫敦瑪麗女王大學(xué)(QMUL)與Paragraf有限公司的研究員們在石墨烯基憶阻器領(lǐng)域獲得重大進展,有望解鎖其在未來計算系統(tǒng)與人工智能(AI)領(lǐng)域的潛力。 本成果發(fā)表于ACS Advanced Electronic Materials并應(yīng)用于本月封面,在薄片尺度已得以實現(xiàn)。這標志著石墨烯基憶阻器作為穩(wěn)定數(shù)據(jù)儲存與人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANNs)的必要器件,已經(jīng)逐步向批量化生產(chǎn)邁進。 憶阻器被普遍認為具有顛覆計算機領(lǐng)域的潛力,其可應(yīng)用于模擬計算、無能耗數(shù)據(jù)儲存以及類人腦突觸功能。石墨烯僅有單原子尺度的厚度,且集成于任意基底均具備優(yōu)良的電子遷移率,因此可以顯著地提高器件性能。然而直到最近,將其嵌入電子元件的巨大難度為人所熟知。QMUL物化學(xué)院的科研人員Zhichao Weng博士表示:“石墨烯電極對于憶阻器數(shù)據(jù)具有顯著意義,不僅可以提高其耐久性,還能賦予其在新領(lǐng)域的應(yīng)用,譬如光敏突觸、光調(diào)控儲存等! 憶阻器通常所面領(lǐng)的核心問題是器件老化,而石墨烯可以通過封鎖化學(xué)通道的方式顯著延長器件的壽命與可靠性。與此同時,其光穿透率高達98%,因此還可應(yīng)用于先進計算機,尤其是AI以及光電領(lǐng)域。 本研究致力于石墨烯電子器件的批量化生產(chǎn)。在歷史上,等價于半導(dǎo)體的高質(zhì)量石墨烯生產(chǎn)技術(shù)一直是個巨大的挑戰(zhàn)。然而Paragraf的專利技術(shù)“金屬-有機化學(xué)氣象沉積法(MOCVD)”使得在目標基底之上直接沉積單層石墨烯成為可能。該技術(shù)已經(jīng)在一些商業(yè)器件的批量化生產(chǎn)上得以應(yīng)用,例如石墨烯基霍爾效應(yīng)探測器與場效應(yīng)晶體管(GRETs)。 Paragraf CTO John Tingay表示:“石墨烯在創(chuàng)造新一代集成邏輯與儲存的計算器件領(lǐng)域具備卓越應(yīng)用潛力,可以解決在訓(xùn)練AI的大語言模型過程中的巨大能耗問題。QMUL最新發(fā)表的憶阻器概念驗證是一項石墨烯在磁、分子探測器領(lǐng)域的重大進步,從而揭示了其在未來邏輯、儲存器件的應(yīng)用模式! 公司團隊使用了多步光刻法實現(xiàn)刻蝕,并將石墨烯電極集成至憶阻器中,該流程的高度可復(fù)現(xiàn)性亦為其大規(guī)模生產(chǎn)提供了保證。QMUL工程與材料學(xué)院教授Oliver Fenwick表示:“我們的研究不僅僅是發(fā)表一項概念驗證,同時印證了石墨烯相較于其他材料,在優(yōu)化憶阻器性能領(lǐng)域的卓越地位! 本研究作為作為QMUL與Paragraf之間的Innovate UK 科技傳遞伙伴關(guān)系的一部分,是拓展石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用的里程碑級成就。 原文鏈接:https://www.qmul.ac.uk/media/new ... tion-computing.html |
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