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[交流]
石墨烯基憶阻器推動著計(jì)算領(lǐng)域向下一代邁進(jìn)
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來自倫敦瑪麗女王大學(xué)（QMUL）與Paragraf有限公司的研究員們在石墨烯基憶阻器領(lǐng)域獲得重大進(jìn)展，有望解鎖其在未來計(jì)算系統(tǒng)與人工智能（AI）領(lǐng)域的潛力。 本成果發(fā)表于ACS Advanced Electronic Materials并應(yīng)用于本月封面，在薄片尺度已得以實(shí)現(xiàn)。這標(biāo)志著石墨烯基憶阻器作為穩(wěn)定數(shù)據(jù)儲存與人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANNs）的必要器件，已經(jīng)逐步向批量化生產(chǎn)邁進(jìn)。 憶阻器被普遍認(rèn)為具有顛覆計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的潛力，其可應(yīng)用于模擬計(jì)算、無能耗數(shù)據(jù)儲存以及類人腦突觸功能。石墨烯僅有單原子尺度的厚度，且集成于任意基底均具備優(yōu)良的電子遷移率，因此可以顯著地提高器件性能。然而直到最近，將其嵌入電子元件的巨大難度為人所熟知。QMUL物化學(xué)院的科研人員Zhichao Weng博士表示：“石墨烯電極對于憶阻器數(shù)據(jù)具有顯著意義，不僅可以提高其耐久性，還能賦予其在新領(lǐng)域的應(yīng)用，譬如光敏突觸、光調(diào)控儲存等。” 憶阻器通常所面領(lǐng)的核心問題是器件老化，而石墨烯可以通過封鎖化學(xué)通道的方式顯著延長器件的壽命與可靠性。與此同時，其光穿透率高達(dá)98%，因此還可應(yīng)用于先進(jìn)計(jì)算機(jī)，尤其是AI以及光電領(lǐng)域。 本研究致力于石墨烯電子器件的批量化生產(chǎn)。在歷史上，等價(jià)于半導(dǎo)體的高質(zhì)量石墨烯生產(chǎn)技術(shù)一直是個巨大的挑戰(zhàn)。然而Paragraf的專利技術(shù)“金屬-有機(jī)化學(xué)氣象沉積法（MOCVD）”使得在目標(biāo)基底之上直接沉積單層石墨烯成為可能。該技術(shù)已經(jīng)在一些商業(yè)器件的批量化生產(chǎn)上得以應(yīng)用，例如石墨烯基霍爾效應(yīng)探測器與場效應(yīng)晶體管（GRETs）。 Paragraf CTO John Tingay表示：“石墨烯在創(chuàng)造新一代集成邏輯與儲存的計(jì)算器件領(lǐng)域具備卓越應(yīng)用潛力，可以解決在訓(xùn)練AI的大語言模型過程中的巨大能耗問題。QMUL最新發(fā)表的憶阻器概念驗(yàn)證是一項(xiàng)石墨烯在磁、分子探測器領(lǐng)域的重大進(jìn)步，從而揭示了其在未來邏輯、儲存器件的應(yīng)用模式。” 公司團(tuán)隊(duì)使用了多步光刻法實(shí)現(xiàn)刻蝕，并將石墨烯電極集成至憶阻器中，該流程的高度可復(fù)現(xiàn)性亦為其大規(guī)模生產(chǎn)提供了保證。QMUL工程與材料學(xué)院教授Oliver Fenwick表示：“我們的研究不僅僅是發(fā)表一項(xiàng)概念驗(yàn)證，同時印證了石墨烯相較于其他材料，在優(yōu)化憶阻器性能領(lǐng)域的卓越地位。” 本研究作為作為QMUL與Paragraf之間的Innovate UK 科技傳遞伙伴關(guān)系的一部分，是拓展石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用的里程碑級成就。 原文鏈接：https://www.qmul.ac.uk/media/new ... tion-computing.html |
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chenhuanlong
禁蟲 (文學(xué)泰斗)
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9樓2024-11-01 07:18:51
簡單回復(fù)
tzynew2樓
2024-10-31 23:47
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hyjcs3樓
2024-11-01 00:11
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psylhh4樓
2024-11-01 00:14
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庚辰辛丑5樓
2024-11-01 00:45
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tfang7樓
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nono20098樓
2024-11-01 06:48
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gter_wang10樓
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lymjjh11樓
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shenrenren14樓
2024-11-04 13:26
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