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llyolive新蟲 (初入文壇)
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XPS關(guān)于O1s的分析,為什么Si的O1,O2,O3和其他這么不同
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| 看文獻里一般O1s的晶格氧一半結(jié)合能最低,當(dāng)產(chǎn)生氧空位時為了保持電中性,金屬離子為了保持電中性需要降低價態(tài),而缺位上吸附氧向高結(jié)合能方向移動,所以一般O1,O2,O3的結(jié)合能排序是O1<O2<O3,對于一般金屬利于Zn都是適用的。但為什么Si這么特殊呀,他的晶格氧(Sio2)結(jié)合能大概在533 ev,而缺陷氧SiOx和C-O相近在531.8ev左右,而吸附氧就更奇怪了,在534ev左右。呈現(xiàn)一個O2<O1<O3的樣子。請問各位大神,為什么Si這么特殊,他的O1,O2,O3到底怎么分的,有什么相關(guān)文獻嗎?求求各位大神不吝賜教!! |
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