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TOF-SIMS在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
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TOF-SIMS在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 上：https://mp.weixin.qq.com/s/0k8FOI_Ke89d3VWjwlzSsQ 下：https://mp.weixin.qq.com/s/avP1p6H-Pdh-O07eZAKXdg TOF-SIMS在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，如表面痕量金屬的檢測和定量、工藝過程的有機污染、超淺層深度剖析、超薄介電層分析、界面/bond pad/test pad的分析等等。 TOF-SIMS技術(shù)的性能優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高質(zhì)量分辨率、高質(zhì)量精度和良好的數(shù)據(jù)速率等方面，能夠以同位素靈敏度檢測所有組分包括元素和分子，且TOF-SIMS技術(shù)無需復(fù)雜的樣品前處理，可以對樣品進行直接測試。 1、痕量金屬的檢測和定量 半導(dǎo)體工業(yè)中，硅片表面極其少量的金屬污染都有可能導(dǎo)致器件功能失效或可靠性變差，制作使用過程中的金屬雜質(zhì)控制極為重要，故痕量金屬的檢測和定量是半導(dǎo)體工業(yè)中的一個重要分析任務(wù)。硅片表面痕量金屬的檢測有不同的方法如ICP-MS等，TOF-SIMS也是其中一種檢測手段。需要注意的是，和很多分析手段一樣，TOF-SIMS測試過程中也會受到基質(zhì)效應(yīng)的影響。所以對金屬元素進行定量時要用表面化學(xué)性質(zhì)與實際樣品一致的標(biāo)準(zhǔn)樣品。 2、潔凈室中暴露不同時長的表面監(jiān)測 半導(dǎo)體器件在制造、生產(chǎn)過程中容易收到外來物質(zhì)的影響，所以其制作過程都是在潔凈室中進行。但潔凈室的潔凈度控制不好時，會導(dǎo)致顆粒物質(zhì)、金屬離子、氣體有機分子等的增加。本實驗是將硅片暴露在潔凈室空氣中，在不同暴露時長時進行取樣，監(jiān)測表面的PDMS和phthalate type（增塑劑）的變化。 3、包裝材料變色原因的測試 硅片的包裝材料也需要保持潔凈，對于變色的包裝材料也可以進行不良品和良品的對比分析。 4、Bond pad的污染物分析 工藝過程中的污染也會對器件造成可大可小的影響，所以污染物成分和來源的確定對半導(dǎo)體的制作也非常重要。 5、光掩膜上的霾斑分析 在光刻中，霾斑是一個嚴(yán)重的問題，會嚴(yán)重影響光刻效果，并且還會限制壽命。激光曝光后TOF-SIMS在光掩模上的表面成像顯示，在激光照射的光斑周圍有較高濃度的氟離子。 6、多膜層深度分析 7、N, C, O, 和 Cl離子注入的深度分析 8、淺層注入的深度分析 9、SiGe Testpad中B注入的深度分析 10、SiCP Testsample的深度分析 11、GaAs/InGaP多膜層深度 |
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tzynew2樓
2023-08-27 17:55
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k 發(fā)自小木蟲Android客戶端
toppaper3樓
2023-08-27 18:50
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2023-08-27 19:18
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鍋魚魚魚(金幣+1): 謝謝參與
2023-08-28 07:14
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鍋魚魚魚(金幣+1): 謝謝參與
nono20096樓
2023-08-28 07:37
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。 發(fā)自小木蟲Android客戶端
hyjcs7樓
2023-08-28 08:23
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鍋魚魚魚(金幣+1): 謝謝參與
哦 發(fā)自小木蟲Android客戶端
XG-WUST8樓
2023-09-10 21:20
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鍋魚魚魚(金幣+1): 謝謝參與
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