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| 【懸賞金幣】回答本帖問題，作者ws4231153將贈送您 5 個金幣 | ||
ws4231153新蟲 (小有名氣)
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[求助]
為什么PECVD氮化硅薄膜在Au、Cu襯底上長不起來 已有1人參與
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請教PECVD氮化硅薄膜在Au、Cu擴(kuò)散性強(qiáng)的金屬襯底為什么生長不起來，而同樣的工藝在Pt、W襯底上就可以生長。我判斷生長成功的依據(jù)是用萬用表測薄膜的導(dǎo)電性，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在Au、Cu兩種襯底上都是導(dǎo)電的，說明氮化硅薄膜沒有起到絕緣的作用或者根本沒有生長成功。但是在W、Pt襯底上生長的氮化硅薄膜就能起到絕緣的作用，并且使得整體薄膜的顏色發(fā)生改變。 期間我試過調(diào)整功率，加長沉積時間，都沒有成功？我的沉積氣體是SiH4+N2,之前也有用過SiH4+NH3在Au、Cu襯底上沉積氮化硅薄膜，都沒有成功，請問這是為什么呢？有沒有做這方向的大神指導(dǎo)一下，這個問題困擾了我很久，或者是我需要改變一下沉積條件嗎？ |
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2樓2022-09-25 10:34:37
ws4231153
新蟲 (小有名氣)
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3樓2022-09-27 09:54:40
Jason
木蟲 (著名寫手)
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4樓2022-09-28 15:08:31
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