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zxy3235566新蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于磁控濺射沉積薄膜中功率變化對薄膜成分的影響,求教各位大佬! 已有2人參與
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| 用的是RF磁控濺射設(shè)備,靶材是高熵合金(TiVCrNbSiTaBY),隨著我增加功率,薄膜中比較輕的一個元素(Si)含量上升了,做的是氮化物薄膜,請各位大佬指點一下該怎么解釋呀? |
新蟲 (初入文壇)
木蟲 (著名寫手)
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