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EBL套刻 已有1人參與
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想問一下現(xiàn)在我有石英基片上鍍了60nmAg、10nmSiO2,現(xiàn)在想先做一次EBL鍍上Au標(biāo)記,100nm,然后用EBL做兩次套刻,這種方案可以嗎? 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
專家顧問 (著名寫手)
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專家經(jīng)驗(yàn): +651 |
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描述的不清楚,所以只能猜你的方案。 你是想分別做sio2,ag和石英的圖案嗎?還是只做前兩者? 無論哪一種,你的方案都是不對(duì)的。因?yàn)闅gau標(biāo)記和ag襯底會(huì)重疊,電子束光刻機(jī)無法清晰識(shí)別出au和ag層的區(qū)別,100nm的深度區(qū)別不夠。因?yàn)槎坞娮拥呐_(tái)階識(shí)別能力是比較差的。 好的方法是,直接電子束光刻,先做ag層的圖案,同時(shí)做ag標(biāo)記。然后濺射sio2,再做電子束光刻(限制是sio的圖案必須在ag圖案范圍內(nèi),如果是你是電極開窗口,那肯定是如此)。如果sio的圖案超出ag的圖案范圍,那就需要在石英襯底上預(yù)先刻蝕500nm以上深度的標(biāo)記,來作為后續(xù)電子束光刻的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。 |
新蟲 (初入文壇)
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