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mmzlmzl鐵蟲 (初入文壇)
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[求助]
急求幫助!有關(guān)AAO膜做掩膜版,制造納米陣列的求助。 已有1人參與
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![]() ![]() ![]() 是這樣的,我的碩士論文題目就是用AAO膜做掩膜版在硅片上形成相應(yīng)的金納米陣列。 設(shè)備用的是直流濺鍍,根據(jù)文獻(xiàn)來確定的濺鍍時(shí)間15min左右,20W的。AAO膜是買來的,有500nm厚,和200nm厚的兩種,孔徑260nm左右。 但是后期發(fā)現(xiàn)做的話,很大部分都粘接在了膜孔內(nèi)兩側(cè),然后文獻(xiàn)里有用膠布去AAO膜,也有用NaOH,或者磷酸。然后發(fā)現(xiàn)去除AAO膜后發(fā)現(xiàn),感覺大部分想要沉淀下來的基本都跟粘在孔壁兩側(cè)的金一起帶走了。又或是沉淀在硅片上的附著力不夠強(qiáng),但是我查到有關(guān)文獻(xiàn)說需要先濺鍍一層Ti納米層,但是我想了下,因?yàn)槲业膶?shí)驗(yàn)接下來還有后續(xù)工作,所以不可以鍍Ti或者其他金屬層。只能直接鍍?cè)谶@個(gè)硅片上。。。 我想問下有沒有大神用這個(gè)做成功過的?我現(xiàn)在的實(shí)驗(yàn)成果大概就是,能夠噴的進(jìn)去,但是沒有達(dá)到要求的厚度,我們做出來的納米金陣列的厚度通過AFM計(jì)算,大概只有10nm左右,但是要達(dá)到我們的要求大概要30-50nm左右,感覺遇到了很大的瓶頸。。有沒有大神能夠指點(diǎn)一下。自己其實(shí)查詢有關(guān)的文獻(xiàn)說可以用電子束試下,但是教授的意思是想要把濺鍍做的很好,因?yàn)楫吘挂彩沁M(jìn)去了10nm左右。。覺得可行。。但是我實(shí)在是想不到什么解決方法了。 ![]() |
新蟲 (正式寫手)

專家顧問 (著名寫手)
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專家經(jīng)驗(yàn): +651 |
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金和硅的黏附力就是很差啊,所以才會(huì)用Ti做粘附層。 想要提升黏附力,那就有很多工作要做了。比如硅片本身的潔凈程度,你的片子買來就不干凈的話,那就很麻煩,建議去研材買真空包裝的。 如果自己洗的話,最好是RCA煮酸了。 最好在濺射前用BOE或者氫氟酸把片子表面的原生氧化層漂掉,去離子水沖干凈后再潔凈環(huán)境下烘干。 濺射的時(shí)候肯定要先進(jìn)行反濺射,同時(shí),盡可能的提升濺射的溫度。電子束蒸發(fā)也是一樣,溫度越高,結(jié)合力越好。 如果都不行,就先退火,讓濺射好的金和硅進(jìn)行擴(kuò)散,結(jié)合力就變好了。但是要控制擴(kuò)散溫度和時(shí)間,否則金會(huì)擴(kuò)散光的。 |
鐵蟲 (初入文壇)
鐵蟲 (初入文壇)
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