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mmzlmzl鐵蟲(chóng) (初入文壇)
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[求助]
急求幫助！有關(guān)AAO膜做掩膜版，制造納米陣列的求助。 已有1人參與
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 是這樣的，我的碩士論文題目就是用AAO膜做掩膜版在硅片上形成相應(yīng)的金納米陣列。 設(shè)備用的是直流濺鍍，根據(jù)文獻(xiàn)來(lái)確定的濺鍍時(shí)間15min左右，20W的。AAO膜是買(mǎi)來(lái)的，有500nm厚，和200nm厚的兩種，孔徑260nm左右。 但是后期發(fā)現(xiàn)做的話，很大部分都粘接在了膜孔內(nèi)兩側(cè)，然后文獻(xiàn)里有用膠布去AAO膜，也有用NaOH，或者磷酸。然后發(fā)現(xiàn)去除AAO膜后發(fā)現(xiàn)，感覺(jué)大部分想要沉淀下來(lái)的基本都跟粘在孔壁兩側(cè)的金一起帶走了。又或是沉淀在硅片上的附著力不夠強(qiáng)，但是我查到有關(guān)文獻(xiàn)說(shuō)需要先濺鍍一層Ti納米層，但是我想了下，因?yàn)槲业膶?shí)驗(yàn)接下來(lái)還有后續(xù)工作，所以不可以鍍Ti或者其他金屬層。只能直接鍍?cè)谶@個(gè)硅片上。。。 我想問(wèn)下有沒(méi)有大神用這個(gè)做成功過(guò)的？我現(xiàn)在的實(shí)驗(yàn)成果大概就是，能夠噴的進(jìn)去，但是沒(méi)有達(dá)到要求的厚度，我們做出來(lái)的納米金陣列的厚度通過(guò)AFM計(jì)算，大概只有10nm左右，但是要達(dá)到我們的要求大概要30-50nm左右，感覺(jué)遇到了很大的瓶頸。。有沒(méi)有大神能夠指點(diǎn)一下。自己其實(shí)查詢(xún)有關(guān)的文獻(xiàn)說(shuō)可以用電子束試下，但是教授的意思是想要把濺鍍做的很好，因?yàn)楫吘挂彩沁M(jìn)去了10nm左右。。覺(jué)得可行。。但是我實(shí)在是想不到什么解決方法了。  |
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yswyx 
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
mmzlmzl: 金幣+5, ★★★很有幫助 2019-05-14 10:08:44
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
mmzlmzl: 金幣+5, ★★★很有幫助 2019-05-14 10:08:44
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金和硅的黏附力就是很差啊，所以才會(huì)用Ti做粘附層。 想要提升黏附力，那就有很多工作要做了。比如硅片本身的潔凈程度，你的片子買(mǎi)來(lái)就不干凈的話，那就很麻煩，建議去研材買(mǎi)真空包裝的。 如果自己洗的話，最好是RCA煮酸了。 最好在濺射前用BOE或者氫氟酸把片子表面的原生氧化層漂掉，去離子水沖干凈后再潔凈環(huán)境下烘干。 濺射的時(shí)候肯定要先進(jìn)行反濺射，同時(shí)，盡可能的提升濺射的溫度。電子束蒸發(fā)也是一樣，溫度越高，結(jié)合力越好。 如果都不行，就先退火，讓濺射好的金和硅進(jìn)行擴(kuò)散，結(jié)合力就變好了。但是要控制擴(kuò)散溫度和時(shí)間，否則金會(huì)擴(kuò)散光的。 |
3樓2019-05-13 13:44:40
mmzlmzl
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4樓2019-05-14 10:10:19
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5樓2019-06-03 17:48:07
laozheng66
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6樓2019-06-06 14:49:02
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