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helanl新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求幾個專業(yè)名詞的中文翻譯
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是光電材料生長這塊的文獻 once the top-gated device geometry is employed, the device subthreshold slopes can be impressively reduced down to 91 mV dec −1 at room temperature. bulk mobility limit atomic stacking in the polar ⟨111⟩B direction stacking faults and polytypism back-gated FETs；top-gated FETs the interface in-plane relationship a high-κ dielectric carrier traps a dielectric layer of Al2O3 with 13.5 nm thickness was thermally evaporated, followed by a 10 h annealing at 100 °C in ambient for densification. 光響應(yīng)的fast rise and decay times 場效應(yīng)管制作方面 ： lift-off process 仿真方面： Vienna ab initio simulation package The Monkhorst−Pack k-point meshes 500 eV is set as the kinetic energy cutoff for the plane-wave basis 問題有點多能回答多少都行，小白謝謝大神們！ |
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2樓2019-03-04 08:46:56
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