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helanl

新蟲 (初入文壇)

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[求助] 求幾個(gè)專業(yè)名詞的中文翻譯

是光電材料生長(zhǎng)這塊的文獻(xiàn)
once the top-gated device geometry is employed, the device subthreshold slopes can be impressively reduced down to 91 mV dec −1 at room temperature.
bulk mobility limit
atomic stacking in the polar ⟨111⟩B direction
stacking faults and polytypism
back-gated FETs；top-gated FETs
the interface in-plane relationship
a high-κ dielectric
carrier traps
a dielectric layer of Al2O3 with 13.5 nm thickness was thermally evaporated, followed by a 10 h annealing at 100 °C in ambient for densification.
光響應(yīng)的fast rise and decay times
場(chǎng)效應(yīng)管制作方面： lift-off process
仿真方面： Vienna ab initio simulation package
The Monkhorst−Pack k-point meshes
500 eV is set as the kinetic energy cutoff for the plane-wave basis

問題有點(diǎn)多能回答多少都行，小白謝謝大神們！

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1樓 2019-03-03 23:12:47

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rcees2007

銅蟲 (小有名氣)

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【答案】應(yīng)助回帖

一旦采用頂部門控器件幾何結(jié)構(gòu)，器件亞閾值斜率可以在室溫下顯著降低至91 mV dec -1。
體極限遷移限制原子堆疊在極性⟨111⟩B方向堆疊故障和多型反向柵極FET;頂部門控FETs界面面內(nèi)關(guān)系高κ電介質(zhì)載流子陷阱Al2O3介電層厚度為13.5nm
蒸發(fā)，然后在100℃下在環(huán)境中退火10小時(shí)以進(jìn)行致密化。

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2樓2019-03-04 08:46:56