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鉭加熱器設(shè)計(jì)與分析
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一、介紹 電推進(jìn)系統(tǒng)中使用的空心陰極通常具有細(xì)長(zhǎng)的空心圓柱形導(dǎo)管,在該導(dǎo)管中放置具有低功函數(shù)的插入材料?招年帢O的工作原理是一種叫做熱離子發(fā)射的物理效應(yīng),熱離子發(fā)射基本上是從發(fā)射體材料中釋放電子。嵌入材料的加熱導(dǎo)致從表面到陰極管中空內(nèi)部的電子發(fā)射增加,在中空內(nèi)部供應(yīng)推進(jìn)劑流。在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間,陰極管內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體提供了一種自加熱機(jī)制,以保持表面的熱離子發(fā)射處于穩(wěn)定速率。然而,為了開始陰極放電,必須使用外部加熱機(jī)制,該加熱器將插件的溫度提高到插件表面的期望電流發(fā)射密度所需的水平。為了啟動(dòng)熱離子發(fā)射,LaB6 插入物應(yīng)加熱到 1600℃以上,而對(duì)于相同的熱離子發(fā)射電流密度,BaO-W 插入物必須被加熱到~1100℃,因此初始加熱需要外部加熱器,一旦發(fā)射器達(dá)到期望的熱離子發(fā)射電流密度所需的溫度水平時(shí),加熱器關(guān)閉。 BaO-W 和 LaB6 陰極由于其低功函數(shù)而被用作最常見的空心陰極插入材料。BaO-W 的功函數(shù)在大約 1000℃的溫度下為 2.06 eV,而 LaB6 的功函數(shù)在大約 1650℃的溫度下為 2.67 eV。從陰極壽命的角度來(lái)看,LaB6 陰極具有優(yōu)勢(shì),因?yàn)?LaB6 具有較低的蒸發(fā)速率。此外,BaO-W 陰極對(duì)高溫下的雜質(zhì)中毒(水蒸氣、氧氣或氙氣中的其他雜質(zhì))非常敏感,這種中毒會(huì)縮短壽命,甚至阻止陰極發(fā)射。對(duì)于 LaB6 陰極,無(wú)需遵循特殊的調(diào)節(jié)和儲(chǔ)存程序,因此 LaB6 陰極可被視為比 BaO-W 陰極更可靠。Bogazici 大學(xué)建造的空心陰極初步設(shè)計(jì)包含低功函數(shù)插件、陰極管、加熱器、保持器、彈簧和基座等核心部件。 二、理論預(yù)測(cè) 空心陰極的基本操作機(jī)制如下:插入物(LaB6)被外部加熱線圈加熱到高溫,在此實(shí)現(xiàn)每單位面積足夠的電子發(fā)射。從插入物發(fā)射的電子撞擊氙氣,并導(dǎo)致氙中性氣體被電離,然后通過向放置在陰極電極外部的保持電極施加電勢(shì),電離的氙原子將移出。陰極插入物可以通過從等離子體到插入物表面的熱通量來(lái)保持其發(fā)射溫度,這就是所謂的自持運(yùn)行模式,加熱器僅需要提供插件的初始加熱。 不同低功函數(shù)材料的電子發(fā)射電流密度具有溫度依賴性,在相同溫度下,LaB6 的發(fā)射電流密度明顯小于 BaO-W 的發(fā)射電流密度,為了達(dá)到 8 A/cm² 的電子發(fā)射電流密度水平,應(yīng)當(dāng)將 LaB6 插件加熱到高于 1600℃的溫度。通?招年帢O可以提供自加熱來(lái)維持發(fā)射溫度,但為了開始熱離子發(fā)射,LaB6 插入物需加熱到 1600℃以上,因此初始加熱需要外部加熱器,加熱所需的高溫通常由難熔金屬提供,如鎢和鉭,它們可以承受非常高的溫度。 一般來(lái)說(shuō),加熱器是通過在陰極管上纏繞一根導(dǎo)線,然后用箔片將其覆蓋而制成的。然而,這種方法有一些缺點(diǎn),雖然工藝最簡(jiǎn)單,但可能無(wú)法有效加熱小型陰極管中的插入物,在嵌件的均勻、有效加熱方面存在不足。作為替代方案,由導(dǎo)線包裹的螺紋陶瓷管被用作加熱器,可在加熱器組件和陰極管之間提供比絕緣導(dǎo)線更好的表面接觸,密歇根大學(xué)也開展了不同的加熱器設(shè)計(jì)研究。 在戈貝爾的實(shí)驗(yàn)中,鉭加熱絲穿過氧化鋁魚刺珠,纏繞在空心陰極管周圍的無(wú)感線圈中,該加熱器可以提供 250W 的功率來(lái)加熱陰極。美國(guó)空軍技術(shù)研究所的華納同樣使用鉭作為加熱器材料,加熱器燈絲是鉭護(hù)套氧化鋁絕緣線,根據(jù)供應(yīng)商數(shù)據(jù),這些燈絲的工作溫度高達(dá) 1800℃,具體設(shè)計(jì)為將 0.127 毫米厚的鉭絲繞加熱器纏繞 12 圈,同時(shí)搭配一片 0.254 mm 厚的鉭箔片,用于保護(hù)較薄的屏蔽層防止其展開。 部分設(shè)計(jì)中采用氮化硼代替氧化鋁作為陶瓷材料,因?yàn)樵诟邷叵,氧化鋁和鉭之間會(huì)發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致組件嚴(yán)重退化,并在保持器和陰極外殼上留下殘留物?继啬岬目招年帢O加熱器設(shè)計(jì)中,加熱絲為 1 mm 厚的鉭絲,繞管 15 圈,雖然鎢是常用材料,但鉭因具有高電阻率和高溫下不易碎的特性被選為加熱元件。鉭片用作耐火材料,以防止輻射熱損失并有助于保持空心陰極的自熱,加熱器大約 15 毫米長(zhǎng),比插入物長(zhǎng) 5 毫米,足以覆蓋插入?yún)^(qū)域并實(shí)現(xiàn)有效加熱。 三、陰極加熱器的設(shè)計(jì)和熱模擬 在本研究中,考慮了三種不同的加熱器設(shè)計(jì),分別稱為設(shè)計(jì) A、設(shè)計(jì) B 和設(shè)計(jì) C。設(shè)計(jì) A 中,加熱器線被假定為 1 mm 厚的絕緣鉭線,繞管 15 圈;設(shè)計(jì) B 中,帶有螺旋形凹槽的氮化硼陶瓷管放置在陰極管的插入?yún)^(qū)域;設(shè)計(jì) C 與設(shè)計(jì) B 類似,氮化硼陶瓷管被放置在陰極管周圍,但陶瓷上加工的是垂直凹槽而非螺旋形狀。 本研究采用 COMSOL 有限元模型(FEM)軟件分析這三種不同設(shè)計(jì)的加熱時(shí)間和加熱均勻性,首先在 CATIA 軟件中創(chuàng)建設(shè)計(jì)的 3D 圖紙,然后導(dǎo)入 COMSOL,輸入適當(dāng)?shù)牟牧蠈傩院,生成用于熱分析的四面體網(wǎng)格。即使能夠?yàn)榫哂新菪尾季結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) A 和 B 產(chǎn)生四面體網(wǎng)格,但在獲得熱分析結(jié)果方面仍存在困難,因此在熱分析部分,將設(shè)計(jì) A 和 B 的螺旋形線圈結(jié)構(gòu)修改為等數(shù)量和等長(zhǎng)度的環(huán)形線圈進(jìn)行分析。 由于陰極測(cè)試(和實(shí)際操作)將在真空環(huán)境中進(jìn)行,陰極外部的對(duì)流熱損失可以忽略不計(jì)。盡管在插入?yún)^(qū)域的初始加熱過程中,陰極管內(nèi)部會(huì)有推進(jìn)氣體(氙)的吹掃,但據(jù)計(jì)算,與傳導(dǎo)和輻射熱損失相比,由于內(nèi)部流動(dòng)而產(chǎn)生的對(duì)流熱傳遞較小,因此僅考慮到底部的傳導(dǎo)熱損失和外部的輻射熱損失。 在三維建模之前,空心陰極加熱器用軸對(duì)稱 2D 域表示,模擬結(jié)果表明,中空陰極加熱器在大約 1500 秒后達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),指定角節(jié)點(diǎn)(溫度評(píng)估監(jiān)控點(diǎn))的溫度隨時(shí)間呈現(xiàn)規(guī)律性變化,整個(gè)模型的溫度分布表現(xiàn)出相似的趨勢(shì)和收斂行為,穩(wěn)態(tài)溫度最小值為 1473.1 K,最高溫度為 2024.8 K。 3D 建模部分模擬了陰極溫度的時(shí)間變化,直到獲得穩(wěn)態(tài)溫度分布。對(duì)比所有三種加熱器設(shè)計(jì)的插件表面溫度時(shí)間變化可知,不同設(shè)計(jì)的升溫速率存在差異;三種情況的穩(wěn)態(tài)溫度分布中心軸切片輪廓顯示,溫度分布結(jié)構(gòu)類似,但在加熱均勻性和升溫效率上有所區(qū)別。 四、結(jié)論 用于宇宙飛船和衛(wèi)星的某些推進(jìn)應(yīng)用的離子發(fā)動(dòng)機(jī)和霍爾效應(yīng)推進(jìn)器需要空心陰極來(lái)輸送其運(yùn)行所需的電子。空間應(yīng)用中使用的大多數(shù)空心陰極采用氧化鋇浸漬的鎢(BaO-W)插入物作為熱電子發(fā)射材料,因其功函數(shù)低。然而,最近的研究顯示了使用六硼化鑭(LaB6)插入材料作為熱離子發(fā)射源的優(yōu)點(diǎn),由于其較高的功函數(shù),LaB6 插件必須加熱到比 BaO-W 插件高得多的溫度。本研究提出了三種不同的加熱器設(shè)計(jì)及相關(guān)熱分析工作,針對(duì)搭載六硼化鑭插入物的空心陰極展開研究,結(jié)果表明,對(duì)于期望的熱電子發(fā)射電流密度水平,加熱器設(shè)計(jì)會(huì)影響低功函數(shù)插入物材料被加熱到期望溫度所需的時(shí)間。 |
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