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吉林師范大學寬禁帶半導體材料生長與器件應用重點實驗室招收2026年入學博士生
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實驗室簡介： 吉林師范大學寬禁帶半導體材料生長與器件應用重點實驗室致力于發(fā)展基于寬禁帶半導體材料制備與器件應用的前沿課題，包括但不限于高品質(zhì)寬禁帶半導體材料的外延膜生長、功率器件（電力電子器件）制備與應用、高頻功率電子器件研發(fā)、紫外光電器件制備與應用、集成功率芯片研發(fā)與應用研究。圍繞碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石等寬禁帶半導體材料的大尺寸外延工藝、缺陷控制、界面物理、微電子器件、紫外光電集成等開展產(chǎn)業(yè)化前沿技術(shù)研究。在高功率電力電子器件領(lǐng)域，深耕碳化硅外延工藝，優(yōu)化缺陷控制技術(shù)，發(fā)展功率場效應晶體管MOSFET，推動相應技術(shù)在吉林省企業(yè)轉(zhuǎn)化。在紫外光電器件領(lǐng)域，推動解決大尺寸氮化鎵外延膜良率問題，發(fā)展日盲紫外探測器、高電子遷移率晶體管制造技術(shù)。在氧化鎵及金剛石等第四代超寬禁帶半導體材料領(lǐng)域，突破其高品質(zhì)外延膜生長技術(shù)，為超高功率電力電子器件制造，極紫外光學元件制造提供前沿技術(shù)儲備。 科研條件： 實驗室具有生長6英寸氮化鎵（GaN）外延膜的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備1臺、生長6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高溫化學氣相沉積（HTCVD）設備1臺、大尺寸晶圓烤盤爐1臺、等離子體干法刻蝕機1臺、磁控濺射鍍膜機2臺、原子層沉積設備2臺、亞微米級紫外光刻機1臺、半導體參數(shù)分析儀2臺、以及高分辨透射電鏡、掃描電鏡、粉末及薄膜X射線衍射儀、原子力顯微鏡等。 團隊成員： 我團隊成員包含教授3人、副教授3人、講師2人、工程師3人，承擔國家科技部重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、吉林省重點研發(fā)計劃等項目20余項，團隊經(jīng)費充足。 招生專業(yè)：凝聚態(tài)物理、無機化學 招生名額：博士2人 聯(lián)系人：袁龍老師，email: yuanlong@jlnu.edu.cn 歡迎各位有志青年加入我們團隊！讓我們一起在寬禁帶半導體與器件賽道開疆拓土，實現(xiàn)人生價值！ |
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