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598878157版主 (文學(xué)泰斗)
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吉林師范大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實驗室招收2026年入學(xué)博士生2名
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實驗室簡介： 吉林師范大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與器件應(yīng)用重點實驗室致力于發(fā)展基于寬禁帶半導(dǎo)體材料制備與器件應(yīng)用的前沿課題，包括但不限于高品質(zhì)寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延膜生長、功率器件（電力電子器件）制備與應(yīng)用、高頻功率電子器件研發(fā)、紫外光電器件制備與應(yīng)用、集成功率芯片研發(fā)與應(yīng)用研究。圍繞碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料的大尺寸外延工藝、缺陷控制、界面物理、微電子器件、紫外光電集成等開展產(chǎn)業(yè)化前沿技術(shù)研究。在高功率電力電子器件領(lǐng)域，深耕碳化硅外延工藝，優(yōu)化缺陷控制技術(shù)，發(fā)展功率場效應(yīng)晶體管MOSFET，推動相應(yīng)技術(shù)在吉林省企業(yè)轉(zhuǎn)化。在紫外光電器件領(lǐng)域，推動解決大尺寸氮化鎵外延膜良率問題，發(fā)展日盲紫外探測器、高電子遷移率晶體管制造技術(shù)。在氧化鎵及金剛石等第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，突破其高品質(zhì)外延膜生長技術(shù)，為超高功率電力電子器件制造，極紫外光學(xué)元件制造提供前沿技術(shù)儲備。 科研條件： 實驗室具有生長6英寸氮化鎵（GaN）外延膜的金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備1臺、生長6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高溫化學(xué)氣相沉積（HTCVD）設(shè)備1臺、大尺寸晶圓烤盤爐1臺、等離子體干法刻蝕機1臺、磁控濺射鍍膜機2臺、原子層沉積設(shè)備2臺、亞微米級紫外光刻機1臺、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀2臺、以及高分辨透射電鏡、掃描電鏡、粉末及薄膜X射線衍射儀、原子力顯微鏡等。 團隊成員： 我團隊成員包含教授3人、副教授3人、講師2人、工程師3人，承擔(dān)國家科技部重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、吉林省重點研發(fā)計劃等項目20余項，團隊經(jīng)費充足。 招生專業(yè)：凝聚態(tài)物理、無機化學(xué) 招生名額：博士2人 聯(lián)系人：袁龍，email: yuanlong@jlnu.edu.cn 歡迎各位有志青年加入我們團隊！讓我們一起在寬禁帶半導(dǎo)體與器件賽道開疆拓土，實現(xiàn)人生價值！ |
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