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西交利物浦大學/氮化鎵基 CMOS 技術的物理驅動與人工智能增強方法/招博士研究生
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博士研究生(全日制) 機構:西交利物浦大學(蘇州校區(qū)) 學院:智能工程學院 導師: 主導師:Kain Lu Low 副教授 合作導師:劉雯 高級副教授 合作導師:Ivona Mitrovic教授(利物浦大學) 申請截止日期:招滿即止 資金支持情況:有資金支持的博士項目(面向全球學生) 項目名稱:推進氮化鎵基 CMOS 技術的物理驅動與人工智能增強方法 聯(lián)系方式:請發(fā)送郵件至 jiao.li@xjtlu.edu.cn,郵件主題請注明博士項目名稱。 主導師個人簡介鏈接如下: https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/KainLuLow 申請要求: 申請博士學位需獲得優(yōu)異的碩士學位,以及一等或二等一榮譽學士學位。在某些學科領域,僅持有學士學位的優(yōu)秀申請人可個別考慮。 具備良好的英語口語和書面表達能力至關重要。如果第一語言不是英語,申請人的雅思(或同等水平)成績應達到 6.5 分及以上。本職位對所有符合條件的申請人開放,不限國籍。 學位: 學生在成功完成該項目后,將獲得英國利物浦大學授予的博士學位。 資金支持: 該博士研究生職位為期四年,前提是學生學習進展令人滿意。獎學金涵蓋三年的學費(目前相當于每年人民幣 99,000 元)。同時還提供最高達人民幣 16,500 元的資金,用于支持學生在獎學金期間參加國際會議。獎學金獲得者預計主要在中國蘇州的西交利物浦大學開展研究工作。不過,如果項目有需要,他們可以申請到利物浦大學進行短期研究訪問。 項目描述: 我們誠邀優(yōu)秀人才申請一個有資金支持的博士職位,該職位專注于設計和優(yōu)化下一代氮化鎵(GaN)CMOS 集成電路。氮化鎵器件憑借其卓越的速度和效率,正在革新電力電子和射頻系統(tǒng),但由于 n 型和 p 型晶體管之間的性能差距,實現(xiàn)全氮化鎵基 CMOS 電路仍面臨挑戰(zhàn)。 本項目旨在通過開發(fā)一種新穎的人工智能輔助優(yōu)化框架來克服這一障礙,該框架能夠對材料屬性、器件架構和電路級性能進行協(xié)同優(yōu)化。通過將基于物理的工藝計算機輔助設計(TCAD)模擬與機器學習(ML)和多目標優(yōu)化無縫集成,本研究將探索完整的設計空間:從異質(zhì)結構工程、p 型場效應晶體管(p-FET)/n 型場效應晶體管(n-FET)協(xié)同設計到 CMOS 電路功能。你將深入了解氮化鎵器件物理,同時推進跨多個層面創(chuàng)新的計算技術,最終實現(xiàn)高性能、全集成氮化鎵 CMOS 電路的開發(fā)。 關鍵領域包括: 1.對氮化鎵場效應晶體管(FET)結構(如柵極堆疊、異質(zhì)結構等)進行建模和優(yōu)化 2.開發(fā)并驗證氮化鎵器件的 TCAD 模型 3.應用機器學習進行性能預測和設計優(yōu)化 4.探索遷移學習,將方法擴展到未來的寬帶隙半導體 為什么加入我們? 1.在半導體物理、TCAD 以及人工智能 / 機器學習方面接受跨學科培訓 2.可使用高性能計算資源,并與實驗實驗室開展合作 3.有機會在頂級期刊上發(fā)表論文,并在國際會議上展示研究成果 4.有機會塑造節(jié)能電子產(chǎn)品的未來 理想候選人: 1.在電氣與電子工程、半導體器件方面有扎實的背景 2.具備 Python、MATLAB 編程經(jīng)驗,熟悉 TCAD 或機器學習 3.對人工智能用于器件建模有興趣或經(jīng)驗者優(yōu)先 4.對電子器件應用研究和創(chuàng)新充滿熱情 如需了解更多關于西交利物浦大學博士獎學金和博士項目的信息,請訪問: https://www.xjtlu.edu.cn/en/admissions/global/entry-requirements/ https://www.xjtlu.edu.cn/en/admi ... ees-and-scholarship 申請方式: 有意申請者請將以下文件發(fā)送至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn(西交利物浦大學主導師的郵箱地址),以便進行初步審核和評估(請在郵件主題中注明項目名稱)。 1.個人簡歷 2.兩封正式推薦信 3.闡述你對該職位興趣的個人陳述 4.英語語言資格證書(雅思或同等水平) 5. 中英文完整成績單(國際學生僅需提供英文版本) 6.中英文學歷驗證證書(國際學生僅需提供英文版本) 7. 碩士學位論文的 PDF 副本(或同等的寫作樣本)及已有的評審報告 |
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