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yexuqing木蟲之王 (文學(xué)泰斗)
太陽系系主任
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中科院AI芯片新路徑登Science！鐵電材料新結(jié)構(gòu)突破存儲(chǔ)密度極限
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中科院AI芯片新路徑登Science！鐵電材料新結(jié)構(gòu)突破存儲(chǔ)密度極限 量子位 01-24 18:55 中科院物理所團(tuán)隊(duì)首次揭示了原子級(jí)“一維帶電疇壁”新結(jié)構(gòu)，其寬度僅為一個(gè)晶胞大小，突破了傳統(tǒng)二維疇壁的物理極限。該結(jié)構(gòu)通過氧離子“自我平衡”機(jī)制穩(wěn)定存在，展現(xiàn)出極化-離子耦合的獨(dú)特傳輸特性，理論存儲(chǔ)密度高達(dá)20TB/cm²，為構(gòu)建高能效類腦計(jì)算及下一代AI芯片奠定了全新物理基礎(chǔ)。 |
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Observation of one-dimensional, charged domain walls in ferroelectric ZrO2 氧化鋯鐵電體中一維帶電疇壁的觀測(cè) ▲ 作者：HAI ZHONG, SHIYU WANG, QINGHUA ZHANG, ZHUOHUI LIU, DONGGANG XIE, JIALI LU, SHIFENG JIN, SHUFANG ZHANG, ER-JIA GUO, AND CHEN GE ▲鏈接： https://www.science.org/doi/10.1126/science.aeb7280 ▲摘要： 具有納米級(jí)厚度和束縛電荷的鐵電帶電疇壁通常被視為疇壁納米電子學(xué)中可重構(gòu)、高導(dǎo)電的超薄二維組件。此類極性拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的維度限制有望提高器件密度并解鎖新功能。研究者報(bào)道了具有一維特性的180°頭對(duì)頭與尾對(duì)尾帶電疇壁。 這些一維帶電疇壁被限制在鐵電氧化鋯的極性層內(nèi)，其寬度和厚度均具有原子級(jí)尺度。定量分析揭示了一種獨(dú)特的疇壁屏蔽機(jī)制：束縛的極化電荷通過氧占位自平衡得以補(bǔ)償。研究者展示了電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下對(duì)這些一維帶電疇壁的操控，揭示了極化翻轉(zhuǎn)與氧離子輸運(yùn)之間的微觀耦合關(guān)系。 ▲ Abstract： Ferroelectric charged domain walls (CDWs) with nanoscale thickness and bound charges are typically viewed as ultrathin, reconfigurable, and highly conductive two-dimensional components for domain wall nanoelectronics. Dimensional confinement of such polar topological structures has the potential to increase device density and unlock novel functionalities. We report 180° head-to-head and tail-to-tail CDWs exhibiting one-dimensional (1D) characteristics. These 1D CDWs are confined within the polar layers of ferroelectric ZrO2 and have atomic-scale dimensions in both width and thickness. Quantitative analysis unveils a distinct screening mechanism of these walls whereby bound polarization charges are compensated by self-balancing oxygen occupancy. We demonstrate electric field–driven manipulation of these 1D CDWs, revealing the microscopic coupling between polarization switching and oxygen-ion transport. |
2樓2026-01-26 10:05:42
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