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西交利物浦大學(xué)/氮化鎵基 CMOS 技術(shù)的物理驅(qū)動與人工智能增強方法/招博士研究生
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博士研究生(全日制) 機構(gòu):西交利物浦大學(xué)(蘇州校區(qū)) 學(xué)院:智能工程學(xué)院 導(dǎo)師: 主導(dǎo)師:Kain Lu Low 副教授 合作導(dǎo)師:劉雯 高級副教授 合作導(dǎo)師:Ivona Mitrovic教授(利物浦大學(xué)) 申請截止日期:招滿即止 資金支持情況:有資金支持的博士項目(面向全球?qū)W生) 項目名稱:推進氮化鎵基 CMOS 技術(shù)的物理驅(qū)動與人工智能增強方法 聯(lián)系方式:請發(fā)送郵件至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn(西交利物浦大學(xué)主導(dǎo)師的郵箱地址),郵件主題請注明博士項目名稱。 主導(dǎo)師個人簡介鏈接如下: https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/KainLuLow 申請要求: 申請博士學(xué)位需獲得優(yōu)異的碩士學(xué)位,以及一等或二等一榮譽學(xué)士學(xué)位。在某些學(xué)科領(lǐng)域,僅持有學(xué)士學(xué)位的優(yōu)秀申請人可個別考慮。 具備良好的英語口語和書面表達能力至關(guān)重要。如果第一語言不是英語,申請人的雅思(或同等水平)成績應(yīng)達到 6.5 分及以上。本職位對所有符合條件的申請人開放,不限國籍。 學(xué)位: 學(xué)生在成功完成該項目后,將獲得英國利物浦大學(xué)授予的博士學(xué)位。 資金支持: 該博士研究生職位為期四年,前提是學(xué)生學(xué)習(xí)進展令人滿意。獎學(xué)金涵蓋三年的學(xué)費(目前相當(dāng)于每年人民幣 99,000 元)。同時還提供最高達人民幣 16,500 元的資金,用于支持學(xué)生在獎學(xué)金期間參加國際會議。獎學(xué)金獲得者預(yù)計主要在中國蘇州的西交利物浦大學(xué)開展研究工作。不過,如果項目有需要,他們可以申請到利物浦大學(xué)進行短期研究訪問。 項目描述: 我們誠邀優(yōu)秀人才申請一個有資金支持的博士職位,該職位專注于設(shè)計和優(yōu)化下一代氮化鎵(GaN)CMOS 集成電路。氮化鎵器件憑借其卓越的速度和效率,正在革新電力電子和射頻系統(tǒng),但由于 n 型和 p 型晶體管之間的性能差距,實現(xiàn)全氮化鎵基 CMOS 電路仍面臨挑戰(zhàn)。 本項目旨在通過開發(fā)一種新穎的人工智能輔助優(yōu)化框架來克服這一障礙,該框架能夠?qū)Σ牧蠈傩浴⑵骷軜?gòu)和電路級性能進行協(xié)同優(yōu)化。通過將基于物理的工藝計算機輔助設(shè)計(TCAD)模擬與機器學(xué)習(xí)(ML)和多目標(biāo)優(yōu)化無縫集成,本研究將探索完整的設(shè)計空間:從異質(zhì)結(jié)構(gòu)工程、p 型場效應(yīng)晶體管(p-FET)/n 型場效應(yīng)晶體管(n-FET)協(xié)同設(shè)計到 CMOS 電路功能。你將深入了解氮化鎵器件物理,同時推進跨多個層面創(chuàng)新的計算技術(shù),最終實現(xiàn)高性能、全集成氮化鎵 CMOS 電路的開發(fā)。 關(guān)鍵領(lǐng)域包括: 1.對氮化鎵場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)(如柵極堆疊、異質(zhì)結(jié)構(gòu)等)進行建模和優(yōu)化 2.開發(fā)并驗證氮化鎵器件的 TCAD 模型 3.應(yīng)用機器學(xué)習(xí)進行性能預(yù)測和設(shè)計優(yōu)化 4.探索遷移學(xué)習(xí),將方法擴展到未來的寬帶隙半導(dǎo)體 為什么加入我們? 1.在半導(dǎo)體物理、TCAD 以及人工智能 / 機器學(xué)習(xí)方面接受跨學(xué)科培訓(xùn) 2.可使用高性能計算資源,并與實驗實驗室開展合作 3.有機會在頂級期刊上發(fā)表論文,并在國際會議上展示研究成果 4.有機會塑造節(jié)能電子產(chǎn)品的未來 理想候選人: 1.在電氣與電子工程、半導(dǎo)體器件方面有扎實的背景 2.具備 Python、MATLAB 編程經(jīng)驗,熟悉 TCAD 或機器學(xué)習(xí) 3.對人工智能用于器件建模有興趣或經(jīng)驗者優(yōu)先 4.對電子器件應(yīng)用研究和創(chuàng)新充滿熱情 如需了解更多關(guān)于西交利物浦大學(xué)博士獎學(xué)金和博士項目的信息,請訪問: https://www.xjtlu.edu.cn/en/admissions/global/entry-requirements/ https://www.xjtlu.edu.cn/en/admi ... ees-and-scholarship 申請方式: 有意申請者請將以下文件發(fā)送至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn(西交利物浦大學(xué)主導(dǎo)師的郵箱地址),以便進行初步審核和評估(請在郵件主題中注明項目名稱)。 1.個人簡歷 2.兩封正式推薦信 3.闡述你對該職位興趣的個人陳述 4.英語語言資格證書(雅思或同等水平) 5. 中英文完整成績單(國際學(xué)生僅需提供英文版本) 6.中英文學(xué)歷驗證證書(國際學(xué)生僅需提供英文版本) 7. 碩士學(xué)位論文的 PDF 副本(或同等的寫作樣本)及已有的評審報告 |
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xhuama 2026-03-02 | 17/850 |
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[考研] 0856材料與化工求調(diào)劑! +5 | 化工考生111 2026-03-04 | 9/450 |
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[考研] 求調(diào)劑 +3 | danyyyy 2026-03-04 | 3/150 |
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[考研] 求調(diào)劑,學(xué)校研究所都可以,材料與化工267分 +4 | wmx1 2026-03-05 | 4/200 |
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[考研] 一志愿天津大學(xué)085600 319分 材料與化工 金屬方向 求調(diào)劑 +6 | 青科11 2026-03-02 | 6/300 |
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[考研] 化學(xué) 0703求調(diào)劑 總分293 一志愿211 +9 | 土土小蟲 2026-03-03 | 11/550 |
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[考研] 0856材料與化工,270求調(diào)劑 +17 | YXCT 2026-03-01 | 20/1000 |
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[考研] 復(fù)試調(diào)劑 +3 | 呼呼?~+123456 2026-03-05 | 5/250 |
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[考研] 材料學(xué)碩080500復(fù)試調(diào)劑294 +3 | 四葉zjz 2026-03-04 | 3/150 |
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[考研] 322分 085600求調(diào)劑,有互聯(lián)網(wǎng)+國金及主持省級大創(chuàng)經(jīng)歷 +6 | 熊境喆 2026-03-04 | 6/300 |
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[考研] 085600 材料與化工 298 +14 | 小西笑嘻嘻 2026-03-03 | 14/700 |
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[考博] 26申博 +5 | north, 2026-02-28 | 5/250 |
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[考研] 298求調(diào)劑一志愿中海洋 +3 | lour. 2026-03-03 | 3/150 |
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[考研] 化工270求調(diào)劑 +10 | 什么名字qwq 2026-03-02 | 10/500 |
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[考研]
材料工程專碩283求調(diào)劑
5+8
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,? 2026-03-02 | 10/500 |
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[考研] 0857調(diào)劑 +6 | 一ll半 2026-02-28 | 8/400 |
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[考研] 324求調(diào)劑 +4 | wxz2 2026-03-03 | 5/250 |
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[考研] 295求調(diào)劑。一志愿報考鄭州大學(xué)化學(xué)工藝學(xué)碩,總分295分 +8 | yl1 2026-03-02 | 9/450 |
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[考研] 調(diào)劑 +3 | 13853210211 2026-03-02 | 4/200 |
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[考博] 26申博 +4 | 想申博! 2026-02-26 | 6/300 |
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