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云南大學(xué)二維材料及光電器件方向邱鋒團(tuán)隊2026年博士招生
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一、博士生導(dǎo)師背景介紹： 邱鋒，（學(xué)術(shù)/專業(yè)）博士生導(dǎo)師，博士后合作導(dǎo)師，副研究員、博士、省興滇英才支持計劃“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新人才”及“青年拔尖人才”、云南鍺業(yè)科技副總（省科技廳遴選）、首批省專家人才產(chǎn)業(yè)服務(wù)團(tuán)成員、云南大學(xué)“光電子與微電子”重點實驗室主任、云南大學(xué)中青年骨干教師及“紅云園丁”優(yōu)秀教師�；I建云南大學(xué)“光電子與微電子”重點實驗室及課題組（2D-X group），開展Graphene、MoS2、h-BN等二維材料、GeSn QDs光吸收材料、高溫超導(dǎo)體YBCO等新型光電材料生長與物性研究，構(gòu)建新型紅外探測器、場效應(yīng)光電晶體管、陣列器件等低功耗高性能光電子芯片；執(zhí)行第一性原理與量子輸運(yùn)高通量理論研究；攻關(guān)大尺寸低位錯InP、Ge、GaSb等戰(zhàn)略半導(dǎo)體單晶生長關(guān)鍵技術(shù)等領(lǐng)域研究；實驗室已具備2D材料生長、光電器件光刻與刻蝕工藝線、光電探測器測試平臺、超算集群與計算軟件版權(quán)等軟硬件研發(fā)平臺；累計主持中央軍委科技委173技術(shù)領(lǐng)域重點項目、國家自然科學(xué)基金、省重點研發(fā)計劃、省重大專項子課題、省重點等專項20余項，總經(jīng)費(fèi)超1400萬元；在eScience、ACS nano、Cell Reports Physical Science、Advanced Optical Materials等高水平期刊發(fā)表研究論文80余篇；授權(quán)專利30余項。2018年獲省政府自然科學(xué)技術(shù)一等獎一次。學(xué)術(shù)兼職《eScience》、《Chip》、《Information＆Functional Materials》、《Nano-Micro Letters》、《Exploration》、《紅外與毫米波學(xué)報》等高水平期刊青年編委，Information＆Functional Materials客座編輯。 二、研究領(lǐng)域 開展第一性原理理論計算、二維材料制備科學(xué)、Ge/graphene范德華外延及其光電子學(xué)、YBCO/ 2D光電集成、InP光電集成一體化等研究與攻關(guān)。 1. 二維材料及新材料研發(fā)：二維材料（Graphene、MoS2、h-BN）、光吸收材料（GeSn QDs 、InP單晶、Ge單晶、GaSb單晶）、高溫超導(dǎo)體YBCO、超薄鐵電及熱電材料等新材料制備及其物性研究，遠(yuǎn)程范德華外延等； 2. 新型光電子器件構(gòu)建：光電探測器、場效應(yīng)晶體管、光電導(dǎo)器件、光伏器件、生物傳感器等新型單元與陣列器件構(gòu)建，原位光電器件與性能調(diào)控等； 3. 第一性原理與分子動力學(xué)計算：第一性原理（VASP）、缺陷第一性原理 (DASP)、器件量子輸運(yùn)（Nanodcal）、分子動力學(xué)、機(jī)器學(xué)習(xí)等理論研究； 4. 產(chǎn)業(yè)化開發(fā)：VGF法/VB法大尺寸低位錯密度InP、Ge、GaSb等單晶關(guān)鍵生長技術(shù)及其集成二維原子晶體與異質(zhì)結(jié)器件研究。 課題組及云南大學(xué)科研條件：云南大學(xué)電鏡中心、云南大學(xué)超算中心，課題組集群平臺，材料制備工藝線，光電器件微納平臺，光電測試平臺、企業(yè)國家技術(shù)中心（上市公司單晶晶片產(chǎn)業(yè)化）、昆明物理所等科研平臺。 三、博士申請資格條件 博士點：云南大學(xué)材料與能源學(xué)院材料科學(xué)與工程專業(yè)（專業(yè)代碼：0805），學(xué)術(shù)博士 申請考核制，有物理或材料、光電研究背景，英語CET4+中科院2區(qū)論文或CET6+SCI論文。 四、聯(lián)系地址 云南大學(xué)材料與能源學(xué)院1309室，fengqiu@ynu.edu.cn； 云南大學(xué)，是雙一流，211高校。是中國西部輻射中南亞區(qū)位合作中心，地處昆明，四季如春，美麗如花，是科研與思考的最佳圣地，是詩與遠(yuǎn)方、科研追夢的最佳交匯點，歡迎來攻讀博士，2D-X group歡迎你，云南大學(xué)光電子與微電子重點實驗室歡迎你。 |
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