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國(guó)家級(jí)高層次人才低維材料與器件力學(xué)團(tuán)隊(duì)招收博士研究生
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廣東工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院低維材料與器件力學(xué)依托省部共建精密電子制造技術(shù)與裝備國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,已經(jīng)搭建帶原位力學(xué)多場(chǎng)耦合測(cè)試系統(tǒng)雙球差透射電子顯微鏡?蒲袌F(tuán)隊(duì)由國(guó)家杰青和教育部長(zhǎng)江學(xué)者鄭學(xué)軍教授領(lǐng)銜“薄膜材料及其器件力學(xué)”教育部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì),具有美國(guó)留學(xué)經(jīng)歷,從事“固體力學(xué)”、“半導(dǎo)體材料與器件”、“凝聚態(tài)物理”和“材料物理與化學(xué)”等多學(xué)科的研究。迄今已完成了數(shù)項(xiàng)如國(guó)家杰出青年基金、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、教育部長(zhǎng)江學(xué)者創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目,發(fā)表論文、專著200余篇。教育部“長(zhǎng)江學(xué)者”獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃會(huì)評(píng)專家,科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃會(huì)評(píng)專家,國(guó)家科技獎(jiǎng)勵(lì)自然科學(xué)獎(jiǎng)終審會(huì)評(píng)專家。 一、 研究領(lǐng)域:微納米力學(xué)、電子器件力學(xué)、原位透射電子顯微學(xué)、微納米能源。 二、申請(qǐng)條件: 1. 碩士研究生畢業(yè)或已獲得碩士學(xué)位的人員(在國(guó)外留學(xué)的需獲得教育部留學(xué)服務(wù)中心出具的學(xué)位學(xué)歷認(rèn)證)、應(yīng)屆碩士畢業(yè)生(最遲須在入學(xué)前畢業(yè)或取得碩士學(xué)位)、達(dá)到與碩士畢業(yè)生同等學(xué)力的人員(博士入學(xué)當(dāng)年9月1日前獲得學(xué)士學(xué)位滿6年,且達(dá)到招生學(xué)院提出的具體業(yè)務(wù)要求),對(duì)科學(xué)研究有濃厚興趣,具有較強(qiáng)創(chuàng)新精神和科研、實(shí)踐能力。 2. 學(xué)術(shù)成果應(yīng)達(dá)到以下條件之一:碩士生期間以第一作者(或?qū)煹谝、本人第二)發(fā)表(含已錄用)1篇以上(含1篇)與所報(bào)考學(xué)科專業(yè)領(lǐng)域相關(guān)的sci論文;或以第一申請(qǐng)人(或?qū)煹谝、本人第二)提?項(xiàng)以上(含1項(xiàng))與所報(bào)考學(xué)科專業(yè)領(lǐng)域相關(guān)的發(fā)明專利申請(qǐng),并已經(jīng)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局受理;或經(jīng)所報(bào)考學(xué)院學(xué)位評(píng)議組鑒定說明的可以體現(xiàn)學(xué)術(shù)水平和研究潛質(zhì)的其他創(chuàng)新成果。其中除應(yīng)屆碩士畢業(yè)生外的其他申請(qǐng)者的學(xué)術(shù)成果有效期為自提交報(bào)名材料起近5年內(nèi)。 3.擁有機(jī)械、材料、物理、電子等相關(guān)領(lǐng)域的碩士學(xué)位,具備扎實(shí)專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí),從事相關(guān)實(shí)驗(yàn)、圖形識(shí)別、第一性原理計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算等相關(guān)研究均可報(bào)名。 三、報(bào)名方式: 團(tuán)隊(duì)網(wǎng)站:https://jdgcxy.gdut.edu.cn/#/dis ... 4%E5%9B%A2%E9%98%9F 申請(qǐng)人將個(gè)人簡(jiǎn)歷或能體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料,發(fā)至郵箱donghui967@126.com |
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