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浴日光能鈣鈦礦
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[交流]
通過不易揮發(fā) MACl 取代高性能晶體管來穩(wěn)定鹵化錫鈣鈦礦
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漢陽大學（Hanyang University）、三星電子（Samsung Electronics）和浦項加速器實驗室（Pohang Accelerator Laboratory）的研究人員報告了使用鹵化錫鈣鈦礦作為p型溝道材料的薄膜晶體管開發(fā)的突破。他們的工作解決了與三維鹵化錫鈣鈦礦的不穩(wěn)定性和高缺陷密度相關(guān)的長期挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)迄今為止限制了其實際應(yīng)用。 該團隊專注于甲脒碘化錫 （FASnI₃），這是一種有前途的高性能晶體管通道候選者，并引入了一種涉及甲基氯化銨 （MACl） 的新策略。與其在鹵化鉛鈣鈦礦中的行為（MACl 僅充當臨時穩(wěn)定劑）不同，MACl 實際上摻入鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)中，用甲基銨 （MA） 和氯化物 （Cl） 取代了部分甲脒 （FA） 和碘化物 （I） 含量。這種成分調(diào)整導(dǎo)致晶格更穩(wěn)定，從而產(chǎn)生具有卓越質(zhì)量、提高結(jié)晶度和更大晶粒尺寸的薄膜。 因此，用 MACl 取代的 FASnI₃ 制造的晶體管表現(xiàn)出令人印象深刻的性能：場效應(yīng)孔遷移率超過 80 cm² V⁻¹ s⁻¹開/關(guān)電流比高于 3 × 10⁹閾值電壓接近 0 V高運行可靠性和無滯后運行這些進展強調(diào)了協(xié)調(diào)陽離子和陰離子管理在穩(wěn)定鹵化錫鈣鈦礦材料方面的有效性，并將 MACl 取代的 FASnI₃ 定位為下一代高性能薄膜晶體管的極具前景的通道材料。 |
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