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Satou413新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求助,本科二年級,有關(guān)雜質(zhì)能級的問題想向大佬提問 已有1人參與
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各位大佬好,我是本科生二年級學(xué)生。我想請問有關(guān)雜質(zhì)能級應(yīng)該怎么看?如何通過計算得出? 我剛剛學(xué)第一性計算不久,有關(guān)雜質(zhì)能級的找不到學(xué)習(xí)資源,請問大佬有相關(guān)的經(jīng)驗嗎?或者是有雜質(zhì)能級相關(guān)的資源也可以喔,我想學(xué)習(xí)這方面的知識,拜托各位大佬。 祝大佬科研路上順風(fēng)順?biāo),成果滿滿,SCI 發(fā)到手軟! 發(fā)自小木蟲手機客戶端 |
木蟲 (正式寫手)
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雜質(zhì)能級指的是在理想晶體(host)中加入外來原子(雜質(zhì))后,新原子或其局域態(tài)在帶隙或費米能附近引入的局域化電子態(tài)。 淺能級(shallow level):能量接近導(dǎo)帶或價帶邊緣,容易熱激發(fā),通常起到施主/受主作用(如P摻雜Si)。 深能級(deep level):能量遠(yuǎn)離帶邊,通常引起載流子俘獲或非輻射復(fù)合。 在金屬或磁性體系中,雜質(zhì)態(tài)可能在費米能附近形成共振態(tài)(resonant state)或局域磁矩,如 Kondo 效應(yīng)中的局域態(tài)。 Step 1. 構(gòu)建超胞模型 (Supercell) 在一個足夠大的晶胞中引入一個雜質(zhì)原子(替位或間隙)。 要保證雜質(zhì)間距足夠大(一般 >10 Å)以避免周期性相互作用。 舉例:Si₁₆₃B₁ 表示在 4×4×4 Si 超胞中用一個 B 替代 Si。 Step 2. 自洽計算能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度 (DOS/PDOS) 分別計算 純體系 和 摻雜體系 的能帶或態(tài)密度。 在摻雜體系中: 投影態(tài)密度 (PDOS) 可顯示雜質(zhì)原子貢獻的局域態(tài)。 若雜質(zhì)的PDOS在帶隙中出現(xiàn)峰,即為“雜質(zhì)能級”。 對比兩個體系的 費米能和帶邊變化,可以判斷能級位置。 在 VASP、Quantum ESPRESSO、WIEN2k、或者 ABINIT 等中都可輸出 PDOS。 在 QE 中:projwfc.x 可得到投影態(tài)密度。 |
木蟲 (正式寫手)
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R. M. Martin, Electronic Structure: Basic Theory and Practical Methods → 理論上講得最系統(tǒng),包括缺陷與局域態(tài)。 David S. Sholl & Janice A. Steckel, Density Functional Theory: A Practical Introduction → 非常適合初學(xué)者,有實際計算步驟。 C. Freysoldt et al., Rev. Mod. Phys. 86, 253 (2014) → “First-principles calculations for point defects in solids” ——這是理解缺陷/雜質(zhì)能級的經(jīng)典綜述! |
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