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西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生
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西交利物浦大學(xué)（蘇州工業(yè)園區(qū)） – 劉雯課題組-GaN電力電子器件方向- 博士招聘（免考，英國(guó)利物浦大學(xué)博士學(xué)位，受教育部認(rèn)證） 聯(lián)系方式：請(qǐng)將CV、成績(jī)單及發(fā)表論文發(fā)送至wen.liu@xjtlu.edu.cn 1. 西交利物浦大學(xué)和英國(guó)利物浦大學(xué)簡(jiǎn)介 西交利物浦大學(xué)的博士可于每年三月、六月、九月、十二月辦理入學(xué)； 錄取后，學(xué)生將注冊(cè)為英國(guó)利物浦大學(xué)的海外博士生，博士畢業(yè)后將獲得英國(guó)利物浦大學(xué)（英國(guó)羅素大學(xué)集團(tuán)成員，2014上海交大世界大學(xué)學(xué)術(shù)排名101-150）頒發(fā)的博士文憑。 2. 課題項(xiàng)目 氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體材料具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速度、穩(wěn)定的化學(xué)特性和強(qiáng)抗輻照能力等諸多優(yōu)勢(shì)， GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領(lǐng)域（如數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、分布式支電、各類消費(fèi)電子等）具有十分廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)機(jī)遇。本項(xiàng)目面對(duì)GaN HEMT可靠性瓶頸，開發(fā)滿足工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的高性能功率器件。 在蘇州經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃中，寬禁帶化合物半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)侵攸c(diǎn)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)之一。西交利物浦大學(xué)位于蘇州工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖畔，國(guó)際化氣氛濃厚。本課題組擁有近千平潔凈間及功率器件制備所需全套工藝設(shè)備；與國(guó)內(nèi)國(guó)際學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)保持著密切的合作和交流。 3.導(dǎo)師介紹 劉雯博士，西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院電子與電氣工程系高級(jí)副教授，西交利物浦大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體研究中心執(zhí)行主任，博士生導(dǎo)師，英國(guó)高等教育協(xié)會(huì)會(huì)士，國(guó)際電氣電子工程協(xié)會(huì)（IEEE）電路與系統(tǒng)、電子器件學(xué)會(huì)蘇州分會(huì)負(fù)責(zé)人，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)青年創(chuàng)新促進(jìn)委員會(huì)副主任委員，西浦智能工程學(xué)院-紅與藍(lán)微電子氮化鎵功率器件聯(lián)合研究中心主任。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵電力電子器件及其單片功率集成芯片技術(shù)研究。迄今發(fā)表IEEE EDL、TED、TPE等SCI收錄論文50余篇，EI收錄會(huì)議論文60余篇，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)會(huì)議ISPSD發(fā)表通訊作者論文5篇。擔(dān)任IEEE國(guó)際集成電路設(shè)計(jì)與工藝會(huì)議出版負(fù)責(zé)人（2023）和會(huì)務(wù)負(fù)責(zé)人（2021），第五屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議組織委員會(huì)委員（2023，2025），功率半導(dǎo)體器件與集成電路研討會(huì)程序委員會(huì)委員（2024，2025）。已培養(yǎng)畢業(yè)博士生9名，碩士生20余名，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利20余件，授權(quán)13件，編制行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4項(xiàng)。主持十余項(xiàng)各級(jí)研發(fā)項(xiàng)目，包括國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、橫向課題等，2018年以來(lái)作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人已獲經(jīng)費(fèi)千萬(wàn)元。 4.研究方向：（本招聘持續(xù)進(jìn)行，歡迎隨時(shí)申請(qǐng)） 1)高性能氮化鎵功率器件 2)器件可靠性測(cè)試及壽命預(yù)測(cè) 5. 博士待遇及其他 西浦博士生將獲得英國(guó)利物浦大學(xué)的博士學(xué)位（與英國(guó)本土利物浦大學(xué)學(xué)位完全相同），學(xué)制4年；助教補(bǔ)助 + 16,500元會(huì)議出差補(bǔ)助；提供利物浦大學(xué)交換學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)，時(shí)間根據(jù)項(xiàng)目具體需要。 6.招生要求： 1）已獲（或在博士入學(xué)前獲得）本科及以上學(xué)位，成績(jī)優(yōu)異； 2）專業(yè)背景為微電子、物理學(xué)、電氣工程、材料相關(guān)專業(yè)碩士或本科學(xué)歷； 3）扎實(shí)的研究基礎(chǔ)，團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神和英文寫作能力； 4）具備流利的英語(yǔ)交流能力和熟練的讀寫能力（雅思6.5分，單科不低于6.0。或提供托福、PTE成績(jī)），兩年內(nèi)畢業(yè)于英語(yǔ)為第一語(yǔ)言國(guó)家的同學(xué)可豁免語(yǔ)言成績(jī)，新加坡、馬來(lái)西亞、香港等地區(qū)不在英語(yǔ)免考范圍。 關(guān)于研究?jī)?nèi)容及導(dǎo)師詳情請(qǐng)點(diǎn)擊： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/WenLiu 關(guān)于申請(qǐng)及錄取要求請(qǐng)點(diǎn)擊： https://www.xjtlu.edu.cn/zh/admi ... try-requirement-phd |
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