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598878157版主 (文學(xué)泰斗)
rky
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[調(diào)劑信息]
吉林師范大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件團(tuán)隊(duì)招收2025年入學(xué)博士研究生
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| 學(xué)校: | - |
| 專(zhuān)業(yè): | - |
| 年級(jí): | 2025 |
| 招生人數(shù): | 2 |
| 招生狀態(tài): | 正在招生中 |
| 聯(lián)系方式: | ********* (為保護(hù)個(gè)人隱私,聯(lián)系方式僅限APP查看) |
補(bǔ)充內(nèi)容
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實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介： 吉林師范大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與器件應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室致力于發(fā)展基于寬禁帶半導(dǎo)體材料制備與器件應(yīng)用的前沿課題，包括但不限于高品質(zhì)寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延膜生長(zhǎng)、功率器件（電力電子器件）制備與應(yīng)用、高頻功率電子器件研發(fā)、紫外光電器件制備與應(yīng)用、集成功率芯片研發(fā)與應(yīng)用研究。圍繞碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料的大尺寸外延工藝、缺陷控制、界面物理、微電子器件、紫外光電集成等開(kāi)展產(chǎn)業(yè)化前沿技術(shù)研究。在高功率電力電子器件領(lǐng)域，深耕碳化硅外延工藝，優(yōu)化缺陷控制技術(shù)，發(fā)展功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET，推動(dòng)相應(yīng)技術(shù)在吉林省企業(yè)轉(zhuǎn)化。在紫外光電器件領(lǐng)域，推動(dòng)解決大尺寸氮化鎵外延膜良率問(wèn)題，發(fā)展日盲紫外探測(cè)器、高電子遷移率晶體管制造技術(shù)。在氧化鎵及金剛石等第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，突破其高品質(zhì)外延膜生長(zhǎng)技術(shù)，為超高功率電力電子器件制造，極紫外光學(xué)元件制造提供前沿技術(shù)儲(chǔ)備。 科研條件： 實(shí)驗(yàn)室具有生長(zhǎng)6吋晶圓級(jí)氮化鎵（GaN）外延膜的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備1臺(tái)、生長(zhǎng)6吋晶圓級(jí)碳化硅（SiC）外延膜的高溫化學(xué)氣相沉積（HTCVD）設(shè)備1臺(tái)、大尺寸晶圓烤盤(pán)爐1臺(tái)、等離子體干法刻蝕機(jī)1臺(tái)、磁控濺射鍍膜機(jī)2臺(tái)、原子層沉積設(shè)備2臺(tái)、亞微米級(jí)紫外光刻機(jī)1臺(tái)、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀2臺(tái)、以及高分辨透射電鏡、掃描電鏡、粉末及薄膜X射線衍射儀、原子力顯微鏡等。 團(tuán)隊(duì)成員： 我團(tuán)隊(duì)成員包含教授3人、副教授3人、講師2人、工程師3人，承擔(dān)國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、吉林省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目20余項(xiàng)，團(tuán)隊(duì)經(jīng)費(fèi)充足。 招生網(wǎng)址：https://www.jlnu.edu.cn/yjsy/info/1032/2699.htm 招生專(zhuān)業(yè)：凝聚態(tài)物理、無(wú)機(jī)化學(xué) 招生名額：博士2人 聯(lián)系人：袁龍，email: yuanlong@jlnu.edu.cn 歡迎各位有志青年加入我們團(tuán)隊(duì)！讓我們一起在寬禁帶半導(dǎo)體與器件賽道開(kāi)疆拓土，實(shí)現(xiàn)人生價(jià)值！ |
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070300調(diào)劑一志愿南京大學(xué)化學(xué)專(zhuān)業(yè)，初試273分，有論文有專(zhuān)利有競(jìng)賽，求調(diào)劑B區(qū)211
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