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桂林電子科技大學(xué)微納器件實驗室誠招青年教師1-2名(帶編制無非升即走)
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桂林電子科技大學(xué)微納器件與集成技術(shù)實驗室誠招青年教師1-2名(帶編制無非升即走),從事片上集成光學(xué)器件、基于二維材料憶阻器的類腦芯片、集成電路設(shè)計、制造、光電調(diào)制器件等方向的研究與開發(fā)。熱忱歡迎青年才俊加入團隊! 一、研究方向(不局限下列) 片上集成光學(xué)器件、二維材料憶阻器的類腦芯片、集成電路設(shè)計與制造、光電調(diào)制器件; 二、研究平臺 目前平臺擁有信息與通信/電子信息專業(yè)兩個一級學(xué)科博士點,電子科學(xué)與技術(shù)/集成電路碩士點,擁有信息與通信博士后流動站等本碩博一體化人才培養(yǎng)。 建有認知無線電與信息處理省部共建教育部重點實驗室、時空信息與智能位置服務(wù)國際合作聯(lián)合實驗室、廣西精密導(dǎo)航技術(shù)與應(yīng)用重點實驗室、微電子器件與集成電路廣西高校重點實驗室,集成電路公共服務(wù)加工平臺等,承擔國家 863 計劃、973 計劃、國防預(yù)研項目、重點項目、自然基金面上項目等科研課題多項,團隊建有半導(dǎo)體工藝超凈間一個,裝備了比較先進、齊全的器件設(shè)計、制備、表征,和性能分析測試的軟件和實驗設(shè)備,配備有 1000 級超凈實驗室 560 余m2、其中1000級黃光區(qū) 100 余m2、配備有SOI 晶片標準清洗臺、勻膠機、電子束直寫/掃描電子顯微成像系統(tǒng)(JSM-IT500HR)、 感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(ICP-601) 、 反應(yīng)離子束刻蝕機(RIE-150)、紫外光刻機、原子層沉積MBE、ALD、 PLD、PECVD、磁控濺射、熱板等全套微納光電器件的制備、表征等工藝設(shè)備;擁有良好的光子器件性能測試條件:寬帶可調(diào)諧激光器、光纖端面耦合系統(tǒng)、光譜儀等器件性能測試等設(shè)備,具備了開展微納光電器件的設(shè)計、制備與性能表征研究的良好理論與實驗條件。 三、聘用待遇(https://www.guet.edu.cn/rsc/2024/1029/c89a129357/page.htm) 第四層次:年齡原則上不超過40周歲,具有博士學(xué)位,從事前瞻性、創(chuàng)新性研究,學(xué)術(shù)業(yè)績突出,在教學(xué)科研方面已取得較為突出的代表性研究成果,能夠在基礎(chǔ)理論、應(yīng)用基礎(chǔ)或技術(shù)開發(fā)等領(lǐng)域繼續(xù)潛心鉆研,在所從事領(lǐng)域具有一定的學(xué)術(shù)地位,曾任知名高校(含知名研究機構(gòu))高級專業(yè)技術(shù)職務(wù),具有成為國家級青年人才和省部級人才的發(fā)展?jié)摿,在相關(guān)研究方向上能協(xié)助本學(xué)科趕超或達到國內(nèi)先進水平。 待遇:(一)學(xué)校支持政策:1.安家費:不低于50萬元(稅前);2.科研啟動費:理工科類不低于30萬元,人文社科類不低于20萬元;3.根據(jù)學(xué)校相關(guān)辦法,可享受校內(nèi)周轉(zhuǎn)房租住或房租補貼;(二)廣西青苗人才普惠性支持政策(35歲以下):1.生活補助:10萬元; 2.科研啟動經(jīng)費資助:自然科學(xué)領(lǐng)域30萬元/人,社會科學(xué)領(lǐng)域10萬元/人。 第五層次:年齡原則上不超過35周歲,具有博士學(xué)位,創(chuàng)新思維活躍,具有扎實的學(xué)術(shù)基礎(chǔ),已取得較為優(yōu)秀的學(xué)術(shù)成果,能通過學(xué)校學(xué)術(shù)評審,具有成為優(yōu)秀教學(xué)科研人才潛質(zhì)的青年人才。(一)學(xué)校支持政策:1.安家費:10萬-35萬元(稅前);2.科研啟動費:理工科類10萬-20萬元,人文社科類5萬-15萬元;3.根據(jù)學(xué)校相關(guān)辦法,可享受校內(nèi)周轉(zhuǎn)房租住或房租補貼;4.年收入不低于18萬元+貢獻績效。(二)廣西青苗人才普惠性支持政策(35歲以下):1.生活補助:10萬元;2.科研啟動經(jīng)費資助:自然科學(xué)領(lǐng)域30萬元/人,社會科學(xué)領(lǐng)域10萬元/人。 四、聯(lián)系方式 有意應(yīng)聘者請將本人詳細簡歷發(fā)送至郵箱:zhchen@guet.edu.cn 郵件主題:姓名+學(xué)校+研究方向+計劃入職時間 [ 來自版塊群 廣西 ] |
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