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范范求職新蟲(chóng) (初入文壇)
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[交流]
華南理工大學(xué)微電子學(xué)院楊文副教授課題組招收2025“申請(qǐng)-考核”制博士生
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華南理工大學(xué)微電子學(xué)院楊文副教授課題組招收2025“申請(qǐng)-考核”制博士生 一、導(dǎo)師簡(jiǎn)介 楊文博士現(xiàn)為華南理工大學(xué)微電子學(xué)院副教授，博士生導(dǎo)師，“珠江人才計(jì)劃創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)核心成員”。博士畢業(yè)于美國(guó)中佛羅里達(dá)大學(xué)CMOS半導(dǎo)體器件可靠性實(shí)驗(yàn)室，長(zhǎng)期深耕寬禁帶半導(dǎo)體器件可靠性、功率半導(dǎo)體失效分析及數(shù)模混合集成電路可靠性領(lǐng)域。具有豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，曾就職于全球頂級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)美國(guó)亞德諾半導(dǎo)體（ADI），主導(dǎo)數(shù)�；旌霞呻娐返氖Х治�、工藝優(yōu)化及良率提升，為多代工藝平臺(tái)量產(chǎn)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。在APL、IEEE T-ED、IEEE IRPS等國(guó)際頂級(jí)期刊與會(huì)議發(fā)表論文20多篇，4次在IEEE IRPS、ISPSD等頂尖會(huì)議作口頭報(bào)告，曾任IEEE EDS Orlando Section主席。目前主持/參與7項(xiàng)寬禁帶功率半導(dǎo)體器件可靠性項(xiàng)目，與HW、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、廣東芯粵能半導(dǎo)體、工信部第五研究所等頭部機(jī)構(gòu)建立長(zhǎng)期合作，為學(xué)生提供“理論-技術(shù)-產(chǎn)業(yè)”全鏈條培養(yǎng)資源。 二、研究方向 課題組聚焦寬禁帶功率半導(dǎo)體器件與集成電路可靠性領(lǐng)域前沿，主要研究方向包括： 1. GaN/SiC等寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的失效機(jī)理、可靠性表征與壽命預(yù)測(cè)； 2. 新型GaN功率集成電路的設(shè)計(jì)、測(cè)試與可靠性提升； 3. 面向高可靠需求的半導(dǎo)體工藝優(yōu)化與器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新； 4. 先進(jìn)封裝技術(shù)對(duì)器件可靠性的影響及協(xié)同設(shè)計(jì)。 三、培養(yǎng)優(yōu)勢(shì) 1. 頂尖平臺(tái)資源：依托華南理工大學(xué)微電子學(xué)院（GJ級(jí)集成電路學(xué)院），建設(shè)有微納電子平臺(tái)，配備先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造、測(cè)試、失效分析及仿真平臺(tái)； 2. 產(chǎn)業(yè)直通機(jī)遇：深度參與HW、芯粵能等企業(yè)合作項(xiàng)目，接觸工業(yè)級(jí)研發(fā)需求與技術(shù)轉(zhuǎn)化，提升就業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力（合作企業(yè)涵蓋半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)全產(chǎn)業(yè)鏈）； 3. 國(guó)際化學(xué)術(shù)網(wǎng)絡(luò)：支持參加IEEE IRPS、ISPSD等國(guó)際會(huì)議，與全球頂尖學(xué)者及企業(yè)專(zhuān)家交流； 三、招生要求 1. 專(zhuān)業(yè)背景：微電子、電子科學(xué)與技術(shù)、材料物理、集成電路等專(zhuān)業(yè)碩士畢業(yè)生（或2025年應(yīng)屆碩士），具有半導(dǎo)體器件、集成電路設(shè)計(jì)或可靠性研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先； 2. 技能要求：熟悉TCAD仿真、模擬集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體工藝/測(cè)試流程、Python/Matlab數(shù)據(jù)分析者更佳； 3. 綜合素質(zhì)：具備獨(dú)立科研能力、團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神及產(chǎn)業(yè)化視野，英語(yǔ)讀寫(xiě)能力優(yōu)秀（需滿足華南理工大學(xué)博士招生英語(yǔ)要求）。 五、聯(lián)系方式 有意申請(qǐng)者請(qǐng)將詳細(xì)個(gè)人簡(jiǎn)歷發(fā)送郵件至wenyang@scut.edu.cn。郵件主題請(qǐng)寫(xiě)“申請(qǐng)者姓名 + 申請(qǐng)博士生”。 |
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