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| 【懸賞金幣】回答本帖問題，作者one_007將贈(zèng)送您 5 個(gè)金幣 | ||
one_007新蟲 (初入文壇)
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[求助]
求問會(huì)TCAD模擬半導(dǎo)體器件的大佬
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小弟是做GaN半導(dǎo)體器件的，目前正在學(xué)習(xí)HEMT的模擬方法。目前用的代碼直接就是例子中的AlGaN/GaN 的代碼，將其中器件的尺寸修改成了我實(shí)驗(yàn)中所用的器件尺寸，之后是可以正常運(yùn)行輸出的。 之后就想給該器件加上自定義的介電層，但是一旦加上介電層之后代碼運(yùn)行就會(huì)卡頓，還會(huì)出現(xiàn)如下報(bào)錯(cuò)，請各位大佬看看這中問題該怎么修改代碼？ 提前祝各位春節(jié)快樂！新的一年paper多多，funding多多，offer多多！ （不能傳圖，代碼在此） material material=BN user.group=insulator user.default=GaN eg300=6.0 permittivity=3.8 affinity=2.0 tc.const=3.9 elec num=1 name=source x.min=0 x.max=7 y.min=0.12 y.max=0.17 elec num=2 name=drain x.min=23 x.max=30 y.min=0.12 y.max=0.17 elec num=3 name=gate x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=0.1 contact name=gate work=5 contact name=source work=3.93 contact name=drain work=3.93 warning內(nèi)容如下： arning: Could not find electrode named: gate. Warning: In line # 41 No electrode specified for bias stepping. 34 ATLAS> log outf=ganfetex03_0.log ATLAS> solve name=gate vfinal=1.0 vstep=0.5 Warning: Could not find electrode named: gate. Warning: In line # 43 No electrode specified for bias stepping. 34 |
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