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請教大神，帶隙是DFT計算出來的還是實驗測出來的？ 已有3人參與
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Materials project 數據庫上 CsinAgCl6的BAND gap 顯示為 1.34 eV ， 而文獻上說 CsinAgCl6的帶隙為3.05 eV . 另一篇文獻<<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>從紫外-可見吸收光譜中估計的帶隙. 文獻 《通過鐵合金調整 Cs2AgInCl6 納米晶體的帶隙以實現(xiàn)光電應用》：“所有無機金屬鹵化物包晶納米晶體（NCs）因其在光電器件中的潛在應用而備受關注。在此，我們首次報道了利用熱注入法輕松合成 Fe3+ 合金 Cs2AgInCl6 雙包晶納米晶體的過程。在原始結構中，F(xiàn)e3+ 部分取代了 In3+，導致晶格收縮，同時保留了雙包晶結構，合金含量高達 30%。X 射線衍射圖（XRD）和電子自旋共振光譜（ESR）都證實了這一點。通過改變雙包晶系中合金化的 Fe3+ 數量，帶隙從 3.05 eV 顯著調整到 2.0 eV�！� <<“Blue-light-excited narrowing red photoluminescence in lead-free double perovskite Cs2−xKxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6−xBrx with cryogenic effects”>>圖2b 從紫外-可見吸收光譜中估計的帶隙..好像是靠幾條虛線的在X軸上的截距估計帶隙，帶隙=截距之差 ？ 圖2b 從紫外-可見吸收光譜中估計的帶隙. |
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【答案】應助回帖
感謝參與，應助指數 +1
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一切理論計算都需要實驗驗證，在實驗測試可靠的情況下，以實驗結果為準。 你在MJ網站看到的帶隙是DFT計算采用GGA廣義梯度近似計算得到。DFT計算下GGA近似或者LDA近似在計算半導體帶隙都存在帶隙偏小問題，最典型的是ZnO帶隙。解決辦法DFT+U，或者HSE雜化泛函去局域化，最理想的是近年發(fā)展的GW方法。 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
4樓2024-12-21 22:15:23
Ayase_lumi
銅蟲 (小有名氣)
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2樓2024-12-21 21:40:32
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3樓2024-12-21 22:14:43
，128G 搞不定 5樓2024-12-22 15:55:22
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