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請問老哥s,p,d軌道及f軌道屏蔽能力比較 已有1人參與
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過渡元素從左到右半徑減小程度比主族元素小,因?yàn)殡娮犹畛湓诖瓮鈱觗軌道,次外層電子對核電荷抵消作用大,一會(huì)又說從cu到Au原子半徑增加不明顯由于次外層d軌道電子的屏蔽能力較弱,真服了啊到底d電子屏蔽能力是大是小啊 根據(jù)斯萊特規(guī)則我一直以為次外層d軌道電子屏蔽能力是大于外層的s和p的,但是又有人說d軌道電子云松散,屏蔽能力小,真頭大啊 老哥們我只有15個(gè)金幣懸賞完后就發(fā)不了貼了,我隨便設(shè)一個(gè)金幣數(shù),謝謝各位老哥 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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越內(nèi)層電子的屏蔽能力越強(qiáng) 同層電子比較: s > p > d > f 但對于價(jià)電子(同一周期)比較:(n-2)f > (n-1)d > ns > np 對于過渡金屬從上到下,由于(n-1)d越來越裸露,因此屏蔽能力越來越強(qiáng) |
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