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MMAKEE新蟲 (初入文壇)
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第一性原理計算VASP結(jié)構(gòu)優(yōu)化計算Al單質(zhì)的內(nèi)聚能，運行過程中出現(xiàn)關(guān)于能帶的警告 已有1人參與
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大家好，新手請教一個問題。 vasp中進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，計算Al單質(zhì)內(nèi)聚能的時候，程序在運行過程中會出現(xiàn)一個warning，提示我看了下是說k點有問題。我用前面晶格常數(shù)優(yōu)化的incar文件進(jìn)行模擬，但是還是會出現(xiàn)warning，請教大家應(yīng)該怎么辦？ 以下是warning的內(nèi)容：Your highest band is occupied at some k-points! Unless you are performing a calculation for an insulator or semiconductor, without unoccupied bands, you have included TOO FEW BANDS!! Please increase the parameter NBANDS in file INCAR to ensure that the highest band is unoccupied at all k-points. It is always recommended to include a few unoccupied bands to accelerate the convergence of molecular-dynamics runs (even for insulators or semiconductors), since the presence of unoccupied bands improves wavefunction prediction and helps to suppress 'band-crossings'. 以下是incar的具體參數(shù)設(shè)置 SYSTEM = Al ISTART = 0 ICHARG = 2 ISPIN = 2 PREC = N ALGO=F NELM=150 EDIFF=1E-4 ENCUT = 520 IBRION=2 NSW=100 ISIF = 3 EDIFFG=-0.1 ISMEAR = 1 SIGMA = 0.2 NCORE = 1 NPAR =4 |
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rlafite
木蟲 (正式寫手)
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2樓2024-06-30 22:12:04
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