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求助：castep計(jì)算的SnTe能帶結(jié)構(gòu)與報(bào)道文獻(xiàn)不符合 已有1人參與
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最近使用Materials studio的castep計(jì)算SnTe這類半導(dǎo)體的一些能帶和DOS，目的是能夠?qū)崿F(xiàn)接近文獻(xiàn)報(bào)道的能帶結(jié)構(gòu)（重要參考值：帶隙和∆EL-Σ），按照多篇文獻(xiàn)中給出的參數(shù) 和 自己優(yōu)化的截?cái)嗄?K網(wǎng)格參數(shù)，分別計(jì)算了單胞和2x2x2超胞SnTe的能帶結(jié)構(gòu)，得到的單胞帶隙的值能夠與報(bào)道的接近，但是能帶細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)仍然與報(bào)道文獻(xiàn)結(jié)果不符，對(duì)此問題進(jìn)行了大量的網(wǎng)絡(luò)查詢/文獻(xiàn)查閱/參數(shù)變化但都未能解決此問題；具體細(xì)節(jié)描述如下，希望有大佬可以幫忙解答一下： 1. SnTe單胞計(jì)算，原始晶胞參數(shù)：Sn4Te4、Fm3m、a=6.32751，先進(jìn)行了幾何優(yōu)化—參數(shù)（默認(rèn)fine設(shè)置）：312.9 ev Energy cutoff + 2x2x2 k-points，優(yōu)化后晶胞參數(shù)a=6.33705；然后對(duì)優(yōu)化后晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了能帶和DOS計(jì)算—參數(shù)：350 ev Energy cutoff + 4x4x4 k-points（來源于文獻(xiàn)），計(jì)算的能帶結(jié)構(gòu)如下左1圖所示。 另外，進(jìn)一步調(diào)整了不同的截?cái)嗄芎蚹網(wǎng)格大小以嘗試結(jié)果此問題，但是僅僅帶隙發(fā)生了變化，單胞結(jié)果的能帶圖中圈出能帶結(jié)構(gòu)不變，總是出現(xiàn)K高對(duì)稱點(diǎn)對(duì)應(yīng)的能量高于Σ的，導(dǎo)致能帶結(jié)構(gòu)與文獻(xiàn)報(bào)道結(jié)果不符，請(qǐng)問這個(gè)是什么問題導(dǎo)致的呢？ 2.同步，進(jìn)行了SnTe 2x2x2超胞的計(jì)算，根據(jù)體積偏差進(jìn)行了截?cái)嗄芎蚹網(wǎng)格的優(yōu)化，最后選擇了400ev + 4x4x4分別進(jìn)行了幾何優(yōu)化和能帶計(jì)算，結(jié)果如下左2圖，這次不僅能帶結(jié)構(gòu)變形，而且?guī)哆�出現(xiàn)在了Γ點(diǎn)（其他截?cái)嗄芎蚹網(wǎng)格參數(shù)也是如此），這是什么原因�。� 十分感謝 |
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3樓2024-06-21 14:35:36
★
小木蟲: 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
小木蟲: 金幣+0.5, 給個(gè)紅包，謝謝回帖
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2樓2024-06-20 19:09:04
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