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physgao新蟲 (初入文壇)
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[交流]
上海交通大學李政道研究所高安遠課題組招博士研究所和博士后
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課題組擬再招聘1名具有上進心且對科研充滿熱情的博士研究生及1名博士后學者。尤其歡迎在以下領域有實際經驗的申請者：二維材料器件制備、電輸運以及光學測量。 感興趣的同學請聯(lián)系 anyuangao@sjtu.edu.cn 博士后崗位待遇： 1. 基本年薪高于30萬元，具體面議。另根據工作表現(xiàn)以及項目情況發(fā)放績效獎勵。 2. 支持申報“博士后創(chuàng)新人才支持計劃”、上海市“超級博士后”等人才項目，獲資助者就高享受相關待遇。 3. 可申請上海交通大學配套的博士后公寓，子女可申請上附屬幼兒園或小學。按照上海市和上海交通大學的博士后管理政策辦理有關落戶事宜，享受社會保險、公積金等福利待遇，博士后出站留上海工作，配偶及子女可隨遷落戶。 4. 視具體情況，優(yōu)秀者聘期結束后經考核可進入上海交通大學長聘教軌體系。 高安遠，李政道學者、長聘教軌副教授。2023年入選國家海外高層次青年人才計劃、上海海外高層次人才計劃、浦江人才計劃。 2019年6月博士畢業(yè)于南京大學物理系，繆峰教授課題組。2019年7月至2020年12月在南京大學繆峰教授課題組擔任副研究員。2020年1至2024年4月在哈佛大學Suyang Xu課題組從事博士后研究。2024年5月加入上海交通大學李政道研究所。 主要通過設計和制備量子器件，使用輸運和光學手段研究二維材料中的新奇物理現(xiàn)象。取得了若干個開創(chuàng)性成果：1) 觀測到量子度規(guī)非線性霍爾效應；2) 提出并觀測到層霍爾效應； 3) 觀測到彈道雪崩效應，并制作了首個彈道雪崩光電探測器和場效應晶體管； 4) 設計出高于商用性能的室溫中紅外光電探測器。 目前已發(fā)表學術論文30余篇，引用2600余次，h 因子為21，其中以第一作者身份發(fā)表論文包括Nature、Science、Nature nanotechnology、ACS nano，共一作者發(fā)表論文包括Science Advances、Advanced Materials。 https://tdli.sjtu.edu.cn/CN/people/tenure-track-fellows/620/AnyuanGao 課題組目前研究方向包括：1) 使用外場（包括電場、光場、應力和壓力等）探測和操控二維材料中的新奇量子現(xiàn)象；2) 設計、制作新奇的拓撲量子器件；3) 新穎的高性能二維光電器件；4) 量子材料中的非線性輸運。 代表性論文： Anyuan Gao, et al. “Quantum metric nonlinear Hall effect in a topological antiferromagnetic heterostructure” Science 381, 181-186 (2023). Anyuan Gao, et al. “Layer Hall effect in a 2D topological axion antiferromagnet” Nature 595, 521-525 (2021). Anyuan Gao, et al. “Observation of ballistic avalanche phenomena in nanoscale vertical InSe/BP heterostructures” Nature nanotechnology 14, 217-222 (2019) Anyuan Gao, et al. “Observation of the antiferromagnetic diode effect” Nature Electronics (Accepted). Anyuan Gao, et al. “Robust impact-ionization field-effect transistor based on nanoscale vertical graphene/black phosphorus/indium selenide heterostructures”, ACS nano 14, 434-441 (2019) Mingsheng Long, Anyuan Gao, et al. “Room temperature high-detectivity mid-infrared photodetectors based on black arsenic phosphorus” Science advances 3, e1700589 (2017) (Co-first author) Zhiyi Zhang, Bin Cheng, Jeremy Lim, Anyuan Gao, et al. “Approaching the intrinsic threshold breakdown voltage and ultrahigh gain in a graphite/InSe Schottky photodetector” Advanced Materials 34 2206196 (2022) (Co-first author) https://scholar.google.com/citations?hl=en&user=wsBf0mMAAAAJ |
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