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西電杭研院后摩爾器件與芯片實驗室招聘低維半導體材料與低功耗信息器件方向博士后
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因?qū)嶒炇夜ぷ骷鞍l(fā)展需要，現(xiàn)招聘低維半導體材料與低功耗信息器件研究方向博士后2名，誠邀各位青年才俊加盟。 1.實驗室簡介： 后摩爾器件與芯片實驗室依托西電杭研院和西安電子科技大學微電子學院共建。西電微電子學院成立于2003年，是國內(nèi)較早開展微電子專業(yè)人才培養(yǎng)與科學研究的單位之一，是國家首批示范性微電子學院建設單位（9所）、首批集成電路人才培養(yǎng)基地（9個）。學院堅持國家需求牽引、聚焦解決行業(yè)“卡脖子”難題，在氮化鎵材料與器件、高性能模擬集成電路、系統(tǒng)芯片與集成系統(tǒng)、碳化硅高溫半導體材料與器件，低維先進半導體材料與器件等方面取得了一系列具有自主知識產(chǎn)權的重大研究成果，獲國家科技進步獎、國家技術發(fā)明獎共7項，居全國微電子學院之首。 實驗室首席科學家為郝躍院士，國家級人才韓根全教授任實驗室主任。二維電子學方向合作導師為劉艷教授與羅拯東教授，團隊專注于設計和構建新型二維功能材料與低功耗信息器件。實驗室目前已累計在IEDM、Advanced Materials、Nano Letters、ACS Nano等相關領域國際知名期刊發(fā)表文章300余篇，授權國家發(fā)明專利超過50項，承擔包括國家自然科學基金重大項目、重大研究計劃、面上項目、科技部重點研發(fā)計劃在內(nèi)的多個國家和省部級項目，經(jīng)費充足。 2.招聘需求： 圍繞后摩爾時代新型信息技術需求，開展新型低維半導體材料及低功耗信息器件研究，研究二維材料的新結構與新物理，探索二維材料及其范德華異質(zhì)結的性能調(diào)控與晶圓級可控制備，研究超陡亞閾值擺幅晶體管、非易失存儲、感存算一體等新型低功耗信息器件，為下一代信息器件技術提供解決方案。 研究方向： 1）二維半導體的新結構與新物理； 2）低功耗新型信息器件； 3）面向低維半導體器件的微納加工； 應聘條件： 1） 凝聚態(tài)物理、低維半導體材料、新型信息器件等專業(yè)背景； 2） 211院校及以上院校博士畢業(yè)生，國內(nèi)外獲博士學位不超過3年，年齡一般不超過35周歲。 3.實驗環(huán)境： 課題可與合肥國家實驗室（楊明敏研究員）展開聯(lián)合培養(yǎng)，同時依托西電微電子學院、杭州研究院與合肥國家實驗室優(yōu)勢資源。結合中科大與西電微納加工中心，本課題組具備完善的低維材料生長、器件制備與表征能力，目前已有包含二維材料與器件制備系統(tǒng)（聯(lián)排手套箱內(nèi)）、氧化物塊體材料制備系統(tǒng)、多功能原子力顯微鏡、半導體材料表征系統(tǒng)、低溫強磁場輸運測試系統(tǒng)（牛津磁體+PPMS）、掃描共聚焦光電顯微鏡系統(tǒng)（分辨率<1微米，溫度范圍80-450K，Home-made）、壓電效應與熱釋電效應表征系統(tǒng)等在內(nèi)的全套器件制備與表征系統(tǒng)。 4.崗位待遇： 1）年薪待遇：53萬元（包含博士后生活補貼30萬元/兩年；博士后科研經(jīng)費：8萬元/年） 2）人才政策：出站留院享受杭州市80萬元安家補貼或100萬購房補貼；應屆博士生，符合條件者可額外享受生活補貼13萬元，租房補貼3萬元； 3）聘期內(nèi)享受西電杭研院職工相關福利待遇（員工公寓、員工食堂、人才體檢、工會福利等）。 5.申請方式： 1）全年受理報名，招滿為止。應聘人員可于公告之日起，將個人簡歷、代表性成果以電子郵件形式發(fā)送指定郵箱：wangdi01@xidian.edu.cn。郵件主題和壓縮包請以“應聘+姓名”命名。 2）所有應聘材料將會嚴格保密，在收到申請的1周內(nèi)與初審合格者電話或E-mail聯(lián)系，安排后續(xù)事宜。 |
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