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游離苦海新蟲 (初入文壇)
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[求助]
OER三電極體系,EIS測(cè)試電壓設(shè)置求助,300mv過電位設(shè)置下以及出現(xiàn)多個(gè)圓的疑惑 已有1人參與
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做的三電極OER析氧測(cè)試。電解水小白求助。 工作電極是尖晶石系的CoMn2O4,涂在泡沫鎳上。 現(xiàn)在關(guān)于EIS阻抗測(cè)試有點(diǎn)疑惑。不知道為啥發(fā)不了圖片,見諒 我采用的是大多數(shù)文獻(xiàn)的參數(shù): 取開路電壓OCPT,高頻100000hz,低頻0.01hz。 這樣的測(cè)出來放大后只有前面有個(gè)不明顯的小圓弧,且數(shù)值過小只有零點(diǎn)幾Ω,然后接著就是斜線,能長到幾千Ω去,這與參考文獻(xiàn)的幾十Ω的Rct偏差很大。 然后我開始調(diào)參數(shù),頻率區(qū)間反復(fù)調(diào)過很多,但是感覺影響不是很大。 然后看到有調(diào)電壓設(shè)置的,我試了下過電位300mvRHE的,換算后輸入?yún)?shù)是600mv。 測(cè)出來,對(duì)比一下,有了很完整的半圓,直徑大概24Ω,沒有斜線了,但是放大前端后,依然有零點(diǎn)幾Ω的小圓弧,與ocpt測(cè)試下的小圓弧幾乎一致。 1.開路電壓測(cè)出來的那個(gè)小圓弧和過電位下測(cè)試出來前面的小圓弧到底是什么? 2.過電位300mv的EIS圖中,這一大一小兩個(gè)圓弧到底哪個(gè)是Rct,如果是小的,那么后面那個(gè)大的又是什么。如果是大的,那么小的是啥,也就是第一個(gè)問題。 另外代表擴(kuò)散過程的斜線為什么沒有了? 3. EIS不同的電壓設(shè)置有沒有什么依據(jù),求求各位大佬了,頭都想炸了 |
新蟲 (初入文壇)
木蟲 (正式寫手)
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1 在開路和過電位下都有的小圓弧是很接近的,說明這個(gè)圓弧和你的電化學(xué)體系沒有關(guān)系,很可能是在高頻下的感抗弧,這個(gè)和你線路的因素相關(guān),比如電極夾和電極之間的接觸,所以這個(gè)小圓弧的電阻會(huì)那么小而且在不同的電位下也是相似的;2 擴(kuò)散過程不一定就是直線,出現(xiàn)圓弧也代表了某種擴(kuò)散過程;3 電壓設(shè)置參考文獻(xiàn)中的設(shè)置 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
新蟲 (初入文壇)
新蟲 (初入文壇)
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