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小木蟲論壇-學術(shù)科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料物理 » 硅上生長薄膜的問題
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wangyunkai新蟲 (初入文壇)
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硅上生長薄膜的問題
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我們實驗室有臺PLD和磁控濺射設備，但也是剛準備開始用，很多問題不懂。我想在硅基片上直接生長一種鐵電薄膜，組成Au/鐵電層/Si電容器結(jié)構(gòu)，用硅作為底電極。但硅在空氣中會有自然氧化層，導致絕緣。怎樣才能把底電極引出來做電學測試呢？ 我的想法是在硅片正面or背面濺射一小塊金屬電極，與硅歐姆接觸，鐵電膜在金屬電極沒覆蓋的地方沉積。問題是怎樣讓電極與Si良好接觸？我設想了兩種可能的方法： （1）濺射Al電極，在N2中加熱，據(jù)資料說可以讓Al穿過氧化層，與si接觸在一起。請問這種方法可行嗎？有沒有別的方法能不去除氧化層也能引出Si電極呢？ （2）如果必須去除氧化層，一般就是用氫氟酸刻蝕。然后濺射金屬電極如au，最后生長鐵電薄膜。（不能先生長薄膜再制備電極，因為生長溫度很高，硅表面可能會重新形成氧化層） （上傳不了圖片，請點開鏈接查看示意圖）***鏈接***：https://www.jianshu.com/p/ae44bec27872?v=1692237680560 可能的困難： （1）鐵電膜在O2氣氛中沉積，溫度最高7、800℃。在高溫下Au或Al會不會脫落或者氧化，或產(chǎn)生別的問題？ （2）氫氟酸有一定危險性，實驗室還需要再買通風櫥，我是想能不用盡量先不用。（如果必須要用也沒辦法） 總之核心問題是，有沒有簡單方法在有自然氧化層的硅片上制造與硅良好接觸的電極觸點？ 問題可能有些愚蠢，希望不吝賜教~謝謝！ |
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Angel01
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