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yanzhua新蟲 (小有名氣)
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[交流]
正電子湮沒壽命譜儀
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技術(shù)指標(biāo) 1)可以進(jìn)行正電子湮沒壽命譜測量 2)具有示波器功能 3)時(shí)間分辨率≦190ps 4)能量分辨率≦3.5%@1.28MeV 5)時(shí)間采樣率≧5G/SPS 6)幅度分辨率≧14位 7)可視化調(diào)整能窗 8)能窗自動(dòng)識(shí)別功能 9)閃爍體探測器溴化鑭晶體尺寸≧Φ25mm x L20mm； 10)陽極脈沖上升時(shí)間≦0.7ns； 11)渡越時(shí)間分散≦0.37ns； 12)探測器集成分壓電路、磁屏蔽 13)采用22Na放射源，活度：≧20μCi 產(chǎn)品規(guī)格 14)外觀尺寸：575mm*440mm*300mm 15)供電：220V AC 16)系統(tǒng)：Win10 64位 多點(diǎn)觸控 產(chǎn)品特點(diǎn) 正電子淹沒壽命譜儀的一個(gè)顯著特點(diǎn)是對凝聚態(tài)物質(zhì)中納米尺寸缺陷極為靈敏。正電子壽命與缺陷尺寸有很大的關(guān)系。正電子壽命測量可以探測材料中缺陷尺寸和濃度，通過數(shù)據(jù)分析，還能得到缺陷尺寸的分布。正電子探測缺陷的深度可以從最外層表面直到100μm，探測缺陷的尺寸在 0.1-1nm 范圍。其他的測試方法各有各的長處，掃面隧道顯微鏡/原子力顯微鏡(STM/AFM) 主要用于研究最外層的缺陷，不能探測到樣品體內(nèi)；中子散射能探測深度在 1mm 以上的體內(nèi)缺陷結(jié)構(gòu)，但對缺陷尺寸和濃度的鑒別力就比較差；常見的透射電子顯微鏡(TEM )探測深度在 1-100nm 的范圍，但是當(dāng)缺陷尺寸小于 1nm 時(shí)，它的分辨率就比較差。 正電子淹沒壽命譜儀與傳統(tǒng)透射電鏡(TEM)，小角中子散射(SANS)等實(shí)驗(yàn)方法相比，在時(shí)間尺度上，微觀結(jié)構(gòu)的演變可以精確到 ps 量級；在微觀尺寸上，可以精確到納米及亞納米量級，這些優(yōu)勢是其他實(shí)驗(yàn)手段難以實(shí)現(xiàn)的。 正電子淹沒壽命譜儀還有個(gè)特點(diǎn)，那就是它是一種無損檢測技術(shù)，它不需要特殊的樣品制備技術(shù)，而且能進(jìn)行原位 (in-situ) 測量，測量過程中還可以改變樣品的溫度和其他條件。 產(chǎn)品應(yīng)用 正電子淹沒壽命譜儀可用來研究物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)及其變化。在固體物理中應(yīng)用最廣泛�？捎脕硌芯烤w缺陷(空位、位錯(cuò)和輻照損傷等)，固體中的相變，金屬有序-無序相變等。在無損檢驗(yàn)中可用來探測機(jī)械部件(如輪機(jī)葉片、飛機(jī)起落裝置)的疲勞損傷,可在小裂縫出現(xiàn)之前作出預(yù)報(bào)。在化學(xué)中可用于研究有機(jī)化合物的化學(xué)反應(yīng)，鑒定有機(jī)物結(jié)構(gòu)中的碳正離子，研究聚合物的微觀結(jié)構(gòu)等。在生物學(xué)中，研究生物大分子在溶液中的結(jié)構(gòu)。 正電子湮沒譜儀.png |
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