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有償求助單晶的電導(dǎo)率測(cè)試
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有償求助單晶電導(dǎo)率的測(cè)試。 測(cè)試方法大致如下:在10 ( OTf )單晶上使用Signatone 1160探頭站在基思利4200 SCS上使用雙探頭法進(jìn)行電導(dǎo)率測(cè)量。采用乙醚在TCE中的10 ( OTf )溶液中的溶劑擴(kuò)散法生長(zhǎng)晶體。然后將晶體安裝在干凈的載玻片上,并在晶體兩端涂抹石墨漿(電子顯微鏡科學(xué),石墨導(dǎo)電膠112)。通過校準(zhǔn)的光學(xué)顯微鏡測(cè)定晶體尺寸,以確定導(dǎo)電通道的寬度。然后將載玻片放置在探針臺(tái)卡盤上,并將安裝在微操作器(⑤µ m分辨率)上的鎢探針放下來(lái)接觸石墨糊進(jìn)行測(cè)量。在室溫、濕度為0 %的黑暗條件下,在手套箱中進(jìn)行- 1 V到1 V的I - V曲線測(cè)試。由于儀器限制,將1 MΩ電阻串聯(lián)起來(lái)采集數(shù)據(jù)。確定了電阻的值為976334.3Ω,并將此值用于反演電阻10 ( OTf )。 |
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