| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 查看: 705 | 回復(fù): 4 | |||
| 【有獎(jiǎng)交流】積極回復(fù)本帖子,參與交流,就有機(jī)會(huì)分得作者 201214760216 的 1 個(gè)金幣 ,回帖就立即獲得 1 個(gè)金幣,每人有 1 次機(jī)會(huì) | |||
[交流]
【錫碳材料】通過氧等離子體球磨一步制備Sn@SnOx/C納米復(fù)合材料
|
|||
|
今天分享一篇關(guān)于錫碳材料得文章,大家感興趣可以私信230515,我看到后會(huì)發(fā)送到大家郵箱 一段話了解全文 采用介質(zhì)阻擋放電氧等離子體輔助研磨(O2-P-milling)一步法合成氧化錫包覆石墨(Sn@SnOx/C)納米復(fù)合材料。所得復(fù)合材料具有獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu),超薄非晶/納米晶SnOx層包覆的Sn納米顆粒均勻嵌入石墨基質(zhì)中。在O2-P-milling25小時(shí)后獲得的SnOx/C納米復(fù)合材料非晶/納米晶SnOx含量高,在70次循環(huán)后,250mA·g-1下表現(xiàn)出500mAh·g-1的高容量,表明O2-P-milling在制備錫基多相納米復(fù)合負(fù)極材料很有前景。 Sn@SnOx/C復(fù)合材料的制備 Sn:C比為1:1的粉末混合物通過O2-P-milling處理2、5、10h,標(biāo)注為Sn@SnOx/C-2h、Sn@SnOx/C-5h和Sn@SnOx/C-10h。球與粉的重量比為50:1。每2.5h向系統(tǒng)供應(yīng)額外的氧氣(0.08mol),以補(bǔ)償研磨過程中持續(xù)消耗的氧氣。為了進(jìn)一步研究SnOx的影響,將粉末混合物通過O2-P-milling處理25h,每5h添加一次氧氣(0.08mol),以形成SnOx/C復(fù)合材料。為了進(jìn)行比較,先前研究的Sn-50wt%C復(fù)合材料和SnO2(粒徑 50nm):Sn:C比例為5:45:50的粉末混合物通過P-milling10h;這些樣品分別表示為Sn-C和Sn-SnO2-C。 圖1 制備Sn@SnOx/C復(fù)合材料示意圖 SnOx在氧等離子體作用下,在Sn顆粒表面成核生長形成核殼結(jié)構(gòu)。隨著應(yīng)變積累,SnOx部分脫落,暴露出Sn的新鮮表面。在剛性SnOx納米顆粒的助磨下,加熱和應(yīng)力的協(xié)同作用,Sn逐漸被細(xì)化。同時(shí),新的SnOx會(huì)在新的Sn表面形成。SnOx層會(huì)根據(jù)MotteCabrera理論生長,在O2-P-milling過程中存在電荷場(chǎng)和快速加熱,所以生成的SnOx層厚度為6~10nm。 圖2 O2-P-milling形成Sn@SnOx/C復(fù)合材料的機(jī)理示意圖 Sn@SnOx/C復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu) 位于26.6處的峰歸因于石墨的衍射,30.6和32.0處的峰為Sn。隨著球磨時(shí)間的增加,Sn晶粒尺寸明顯細(xì)化,Sn量逐漸減少,最終Sn的衍射峰變得無法區(qū)分。Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料中Sn的平均晶粒尺寸為27nm,遠(yuǎn)小于Sn-C復(fù)合材料中的粒徑(68nm)。在Sn@SnOx/C-5h復(fù)合材料的圖案中出現(xiàn)了SnO和SnO2的弱特征衍射峰。在Sn@SnOx/C-10h和SnOx/C復(fù)合材料的衍射圖中,這些峰變得更強(qiáng)。結(jié)果表明在Sn@SnOx/C-10h和SnOx/C復(fù)合材料中存在共存的非晶態(tài)和納米晶態(tài)SnOx(1≤x≤2)相。 圖3 XRD圖譜(a)P-milling得到的Sn-C復(fù)合材料;O2-P-milling制備的Sn@SnOx/C復(fù)合材料的:(b)Sn@SnOx/C-2h (c)Sn@SnOx/C-5h (d)Sn@SnOx/C-10h (e)SnOx/C 當(dāng)O2-P-milling時(shí)間為2h時(shí)(圖4(a)),富錫相(亮區(qū))是分散在石墨基體(暗區(qū))中的大絮狀物。隨著研磨時(shí)間的增加,Sn在石墨基體中的分散變得更加均勻。這與通過Pmilling10小時(shí)獲得的Sn-SnO2-C復(fù)合材料的形態(tài)有很大不同,其中Sn顆粒,如圖4(d)中的箭頭所示,清晰可見,并且比O2-Pmilled復(fù)合材料中的更大。這表明在O2-P-milling過程中在Sn表面原位形成的SnOx比SnO2添加劑更有利于Sn的細(xì)化和分散。因此,預(yù)計(jì)Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料將表現(xiàn)出比Sn-SnO2-C復(fù)合材料更好的電化學(xué)性能。 圖4 (a)Sn@SnOx/C-2h (b)Sn@SnOx/C-5h (c)Sn@SnOx/C-10h (d)Sn-SnO2-C復(fù)合材料的背散射電子SEM圖像 納米尺寸的Sn和SnOx顆粒嵌入石墨基體中。在Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料中有兩種典型的SnOx分布:(1)通過研磨將無定形SnOx從Sn中分離出來(如圖5(b)中的箭頭所示);(2)一個(gè)6~10nm厚的非晶/納米晶SnOx層涂覆嵌入石墨基質(zhì)中的單晶Sn上(圖5(c))。后一種核殼結(jié)構(gòu)在通過O2-P-milling制備的Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料中通常占主導(dǎo)地位。 圖5 (a)Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料的明場(chǎng)TEM圖像和SAED圖案(右上角插圖) (b)、(c)Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料中典型微觀結(jié)構(gòu)的HRTEM圖像。 Sn@SnOx/C復(fù)合負(fù)極的電化學(xué)性能 首次放電和充電容量分別為1001.1和571.2mAh·g-1,這意味著初始庫侖效率為57.1%,略低于Sn-C復(fù)合材料(61.8%),高于先前報(bào)道的SnO2材料。石墨、納米尺寸的Sn和SnOx共同構(gòu)成了電極的總?cè)萘俊?br /> Sn@SnOx/C-10h在70次循環(huán)后容量為430mAh·g-1,最初5次循環(huán)后庫侖效率高達(dá)98.9%,而Sn-SnO2-C和Sn-C 70次循環(huán)后容量低于300mAh·g-1。結(jié)果表明,與Sn-SnO2-C和Sn-C相比,Sn@SnOx/C-10h的容量和循環(huán)穩(wěn)定性有了很大提高。通過增加氧含量和球磨時(shí)間,可以進(jìn)一步提高Sn@SnOx/C復(fù)合材料的循環(huán)性能:SnOx/C在70次循環(huán)中保持500mAh·g-1的容量,庫侖效率高達(dá)99.4%。研磨時(shí)間擴(kuò)大到25h,活性Sn將更小且更均勻地分散在基體中。更細(xì)的錫有利于深度充放電以釋放容量,體積變化影響更小。其次,SnOx與鋰反應(yīng)產(chǎn)生的更多LiO2可以緩沖體積變化并防止活性材料的聚集,從而減輕復(fù)合材料結(jié)構(gòu)損傷。 圖6 (a)放電容量與循環(huán)次數(shù) (b)庫侖效率與循環(huán)次數(shù) 圖7顯示了Sn@SnOx/C-10h電極在三個(gè)活化循環(huán)后的倍率性能。Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料在1250mA·g-1的高電流密度下保持了340mAh·g-1的穩(wěn)定可逆容量。當(dāng)電流密度降低到90mA·g-1時(shí),可以恢復(fù)430mAh·g-1的容量。鋰離子嵌入Sn@SnOx/C-10h納米顆粒的短擴(kuò)散距離導(dǎo)致動(dòng)力學(xué)增強(qiáng)使得材料具有優(yōu)異的倍率性能。 圖7 Sn@SnOx/C-10 h 復(fù)合材料的倍率性能 截止電位:0.01~1.5V 圖8中的XRD圖案表明,除了基材Cu之外,石墨和Sn是主要相。明場(chǎng)TEM圖像(圖8(a))表明,在三個(gè)循環(huán)后,納米Sn均勻地嵌入石墨基體中,沒有明顯的聚集。HRTEM(圖8(b))清楚地觀察到被一層非晶/納米晶Li2O和Sn包圍的納米Sn。O2-P-milling的Sn@SnOx/C復(fù)合材料的獨(dú)特微觀結(jié)構(gòu)在循環(huán)過程中保持了電極的穩(wěn)定性,并帶來了優(yōu)異的循環(huán)性能。 圖8 三個(gè)放電-充電循環(huán)后Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料的XRD圖 (a)Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料在三個(gè)放電充電循環(huán)后具有SAED圖案(右上方插圖),明場(chǎng)TEM圖像 (b)由虛線矩形突出顯示區(qū)域的HRTEM圖像 (c)Li合金化和脫合金后Sn@SnOx/C-10h復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)演變示意圖 結(jié)論 開發(fā)了一種簡(jiǎn)便高效的一步氧氣等離子球磨工藝用于合成Sn@SnOx/C復(fù)合材料作為鋰離子負(fù)極材料; 具有嵌入石墨基體中的非晶/納米晶Sn@SnOx的獨(dú)特微觀結(jié)構(gòu); 通過O2-P-milling精制的Sn和SnOx納米顆?梢猿惺茕嚭辖/脫合金過程中的大體積變化,是材料具有循環(huán)穩(wěn)定性,并具有優(yōu)異的循環(huán)性能; 在第一次放電期間由SnOx產(chǎn)生的石墨和Li2O容納了Sn的體積膨脹,有效地防止了Sn納米顆粒的聚集; O2-P-milling可以擴(kuò)展到其他材料系統(tǒng),如Si@SiOx/C復(fù)合材料,在具有高容量保持率的負(fù)極材料大規(guī)模生產(chǎn)中很有前景。 以上結(jié)論來自于 Liu, H., et al. Sn@SnOx/C nanocomposites prepared by oxygen plasma-assisted milling as cyclic durable anodes for lithium ion batteries. Journal of Power Sources 242.15(2013):114-121. |
» 搶金幣啦!回帖就可以得到:
+3/465
+1/185
+1/156
+1/84
+1/84
+2/80
+1/36
+1/35
+1/23
+1/19
+1/18
+1/9
+1/7
+1/6
+1/6
+1/4
+1/4
+1/4
+1/1
+1/1
| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 最具人氣熱帖推薦 [查看全部] | 作者 | 回/看 | 最后發(fā)表 | |
|---|---|---|---|---|
|
[考研] 一志愿蘇大材料工程專碩293求調(diào)劑 +3 | 鋼鐵大炮 2026-03-04 | 3/150 |
|
|---|---|---|---|---|
|
[考研] 化工282求調(diào)劑一志愿211 +5 | NA0912 2026-03-05 | 6/300 |
|
|
[考研] 085600材料與化工,一志愿廣州985,求調(diào)劑 +8 | qqyyaill 2026-03-05 | 8/400 |
|
|
[考研] 085602 293分求調(diào)劑 +3 | SivanNano. 2026-03-05 | 3/150 |
|
|
[考研] 求調(diào)劑 +3 | 泡了個(gè)椒 2026-03-04 | 4/200 |
|
|
[考研] 沒上岸的看過來 +3 | tangxiaotian 2026-03-01 | 5/250 |
|
|
[考研] 320材料一志愿西工大專碩英二數(shù)二 有兩年光伏工作經(jīng)驗(yàn) +5 | 錘某人 2026-03-04 | 8/400 |
|
|
[考研] 267化工調(diào)劑求助 +5 | 聰少OZ 2026-03-04 | 5/250 |
|
|
[考研] 085600 材料與化工 298 +14 | 小西笑嘻嘻 2026-03-03 | 14/700 |
|
|
[考研] 材料工程269求調(diào)劑 +7 | 白刺玫 2026-03-02 | 7/350 |
|
|
[考研] 276求調(diào)劑 +8 | 路lyh123 2026-02-28 | 10/500 |
|
|
[考研] 268求調(diào)劑 +10 | 簡(jiǎn)單點(diǎn)0 2026-03-02 | 14/700 |
|
|
[考研] 材料學(xué)碩318求調(diào)劑 +11 | February_Feb 2026-03-01 | 11/550 |
|
|
[考研] 284求調(diào)劑 +6 | 天下熯 2026-03-02 | 6/300 |
|
|
[考研] 1 +7 | 黑!在干嘛 2026-02-28 | 8/400 |
|
|
[考研] 271求調(diào)劑 +4 | Ricardo1113 2026-03-02 | 4/200 |
|
|
[考研] 288求調(diào)劑 +3 | 少71.8 2026-03-02 | 5/250 |
|
|
[考研] 275求調(diào)劑 +7 | 明遠(yuǎn)求學(xué) 2026-03-01 | 7/350 |
|
|
[考研] 295求調(diào)劑 +8 | 19171856320 2026-02-28 | 8/400 |
|
|
[考研] 0856材料求調(diào)劑 +4 | 麻辣魷魚 2026-02-28 | 4/200 |
|