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紫外可見漫反射光譜UV-Vis——反射率與波長關系圖擬合氮化鉭TaN光學帶隙
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之前沒接觸過紫外可見漫反射測試，也是查找文獻知道可以測帶隙，樣品是送出去測得到的數據。第一張圖所示是通過測試數據和Kubelka-Munk公式：(F(R)hν)1/n =K/S=(1-R)2/2R= B(hν-Eg)擬合得到的TaN帶隙。 第二張是文獻中的圖 但是在處理數據的時候意識到有幾個問題： 1、查看了很多紫外測試反射率R%和波長關系圖，以及按原理來說，當波長到達一個閾值的時候，反射率應該會從小變?yōu)?00%，也就是光的能量不足以和材料在發(fā)生作用，但是我的測試結果在1000nm左右波長的時候，反射率是變大了，但是只有60%不到，且隨著波長變大還有下降的趨勢，這是為什么呢？ 2、圖中選擇做切線計算帶隙的位置是否正確，計算結果在1.12eV，而我查閱的文獻Ta3N5的帶隙在2.3eV左右，我的樣品是在純氮氣環(huán)境下生長的，應該是絕緣體，為什么帶隙還是這么小，是不是處理方法有問題。 3、樣品是在帶有熱氧化層（SiO2）的硅襯底上利用磁控反應濺射在純氮氣的條件下生長的厚度在50nm左右的TaN薄膜，那襯底會不會對紫外的數據有影響呢？ 希望有懂得大佬幫忙看看解答一下，救救孩子 0_30_50nm.JPG reference.JPG |
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2樓2023-03-24 14:47:23
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