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[交流]
用crosslight中 APSYS做MQW LED
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最近在看:Step-type quantum wells with slightly varied InN composition for GaN-based yellow micro light-emitting diodes,存在一下疑惑 1. 搭建器件結(jié)構(gòu)時,是基于examples中的InGaN修改的,材料的電子和空穴的lifetime和Auger,以及band_offset需要修正嗎?一般在什么情況下修正? 2. EQE、IQE和Optical Power的提取方法 3. 復現(xiàn)的電子、空穴和輻射復合結(jié)果和文獻中的不同 文獻中的圖應該在較大的偏壓下空穴才會穿越到遠端的quantum well的吧 4.能帶圖中,文獻中的電子注入層的價帶和quantum barrier價帶的起點一樣高,而復現(xiàn)的則明顯較低,是什么原因呢? 5.在最后一個quantum well中,空穴分布文獻中的很規(guī)整,復現(xiàn)的不規(guī)整,為什么呢? 6.在做Srh 復合時,應該是將所有quantum well中的加起來的吧 |
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