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flyboyflyfly木蟲 (著名寫手)
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[求助]
用Y函數(shù)法提取FET器件的遷移率和接觸電阻
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如題,做的WS2的場效應(yīng)晶體管器件,測了轉(zhuǎn)移曲線,F(xiàn)在需要用Y函數(shù)法計算提取FET器件的遷移率和接觸電阻數(shù)據(jù),看了英文和中文文獻(xiàn),公式推導(dǎo)比較多,公式看明白了,但是實在看不懂具體用哪些數(shù)據(jù)怎么作的圖和得出的遷移率和接觸電阻數(shù)據(jù)。 希望有大佬能幫忙,利用我測得的ID-VG數(shù)據(jù),告知用哪些數(shù)據(jù)作圖得出閾值電壓VT, 得出器件的實際載流子遷移率,載流子遷移率衰減系數(shù)θ,以及接觸電阻Rc等數(shù)據(jù)。 文獻(xiàn)和數(shù)據(jù)見附件 鏈接: https://pan.baidu.com/s/1qXGcG-9LugZ78-VgmnFzvw 提取碼: kn3z 復(fù)制這段內(nèi)容后打開百度網(wǎng)盤手機(jī)App,操作更方便哦 |
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