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rao201新蟲 (小有名氣)
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[交流]
屏蔽電纜轉(zhuǎn)移阻抗的仿真
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各位大佬們好，小弟剛?cè)腴Tcomsol，課題是對(duì)屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗進(jìn)行測(cè)量，也看了些相關(guān)的論文，但是做出來(lái)的效果總是不盡人意，想向前輩們請(qǐng)教請(qǐng)教。 仿真的模型如圖，長(zhǎng)度為10mm的屏蔽電纜（簡(jiǎn)化模型，屏蔽層用菱形小孔模型代替），放置于邊長(zhǎng)為30mm的正方體中，用的接口為電磁波，頻域（emw）接口 按照查閱的文獻(xiàn)設(shè)置電纜兩端截面為”理想電導(dǎo)體“，屏蔽層上的小孔內(nèi)壁設(shè)置為“理想磁導(dǎo)體”，目前到這一步都算是完全按照論文來(lái)的? 但是在設(shè)置激勵(lì)的時(shí)候遇到了問(wèn)題，因?yàn)檎撐闹卸际怯胔fss做的，論文推薦使用平面波激勵(lì)，但是我在comsol中沒(méi)能找到平面波激勵(lì)如何設(shè)置，于是我做了兩種嘗試 1.利用 “散射邊界條件” 加在外部的正方體截面上 2.去除長(zhǎng)方體后，在電纜一端的圓形界面上添加 “端口-同軸波激勵(lì)” 轉(zhuǎn)移阻抗的計(jì)算也是看的論文里的公式： 屏蔽層內(nèi)表面的橫向電場(chǎng)強(qiáng)度平均值是用曲面積分算子選中屏蔽層內(nèi)表面，對(duì)電場(chǎng)分量進(jìn)行曲面積分，再除以屏蔽層內(nèi)表面面積得到。 流經(jīng)屏蔽層的電流是通過(guò)自帶的曲線積分算子，選中為沿屏蔽層外橫截面的閉合曲線，利用安培環(huán)路定律求得。 前者除以后者就是轉(zhuǎn)移阻抗值。 第1種條件算出來(lái)轉(zhuǎn)移阻抗曲線趨勢(shì)完全不對(duì) 第2種條件算出來(lái)轉(zhuǎn)移阻抗曲線趨勢(shì)正確，但是數(shù)量級(jí)上不正確 我想請(qǐng)教幾個(gè)問(wèn)題： 一、在comsol里應(yīng)該如何設(shè)置平面波激勵(lì)，來(lái)模擬外界復(fù)雜的電磁場(chǎng)環(huán)境。 二、因?yàn)榱鹘?jīng)屏蔽層的電流是用安培環(huán)路定律求出來(lái)的，其中需要用到切線分量，而我在仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)comsol里切線分量有兩組，分別為“t1x,t1y,t1z”與“t2x,t2y,t2z”，我在官方案例中看到的應(yīng)該使用t1那組，不知道是否正確 問(wèn)題繁多，感謝查看我貼子的大佬，小弟先在此感謝各位大佬們 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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