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| 【懸賞金幣】回答本帖問(wèn)題，作者jackwangee將贈(zèng)送您 10 個(gè)金幣 | |||
jackwangee金蟲 (小有名氣)
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[求助]
點(diǎn)缺陷 電荷范圍
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大家好， 最近在做N 缺陷缺陷形成能。電荷范圍是如何確定的呢？ Broberg, D., Medasani, B., Zimmermann, N. E. R., Yu, G., Canning, A., Haranczyk, M., Asta, M., and Hautier, G. (2018) PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators. Computer Physics Communications 226, 165-179 Vacancies: Use the formal charge of the species originally located on the vacant site, oxi, to define the charge range: [−oxi,+oxi]. For GaAs, this procedure results in defect charges ranging from −3 to 3 for both VGa and VAs 這篇文獻(xiàn)里討論了一下，里面認(rèn)為應(yīng)該是[-oxi,+oxi]. 對(duì)于N來(lái)說(shuō)，應(yīng)該是[+3, -3] 嗎？ 我不太確定。到底該如何確定電荷范圍？ |
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